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- 2019-03-23 发布于上海
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主组、孩
签字日期 :)OtfJ 年三月 7 日
制币签名:何手
签字日期: ):J I 年 3 月 7 日
浙江理工
浙江理工大学硕士学位论文
基于氧化镓薄膜的异质结构制备及其性能研究
摘 要
随着信息微电子技术的发展,宽禁带半导体以其优良的性能和较低的能耗越来越受到 人们的关注。其中,氧化镓是一种具有直接带隙的宽禁带半导体材料,其禁带宽度为 4.9 eV,因其具有较高的禁带宽度、较高的击穿电压、优良的紫外透过性能而受到越来越多的 科研人员的关注。β-Ga2O3 因存在氧空位缺陷而成为一种本征 n 型氧化物半导体,人们在 实验中比较难制得 p 型 Ga2O3,但可以在其他材料上生长 n 型 Ga2O3 薄膜,研究 Ga2O3 与其他材料 (特别是 p 型材料)形成的异质结,从而探索 β-Ga2O3 可能存在的相关性能,挖 掘 β-Ga2O3 潜在的应用前景。
本文采用磁控溅射技术和脉冲激光沉积技术在蓝宝
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