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二次离子质谱（SIMS） Secondary Ion Mass Spectroscopy 一、概述 •二次离子质谱是表征固 体材料表面组分和杂质的 离子束分析技术。 •利用质谱法分析由一定 能量的一次离子轰击在样 品靶上溅射产生的正、负 二次离子。 工作原理： 一定能量的离子轰击固体表面引起表面原子、 分子或原子团的二次发射，即离子溅射。溅射的粒 子一般以中性为主，其中有一部分带有正、负电荷， 这就是二次离子。利用质量分析器接收分析二次离 子就得到二次离子质谱。 SIMS的主要特点： 1. 具有很高的检测极限 对杂质检测限通常为ppm，甚至达ppb量级 2. 能分析化合物，得到其分子量及分子结构的信息 3. 能检测包括氢在内的所有元素及同位素 4. 可以在超高真空条件下获取样品表层信息 5. 能进行微区成分的成象及深度剖面分析 离子溅射 溅射：一定能量的离子束 轰击固体表面引起表面的 原子或分子射出。 入射粒子的能量必须 超过受轰击材料表面的阈 值。SIMS:10-20KeV 。 溅射的粒子一般以中 性为主，其中有一部分带 有正、负电荷，这就是二 次离子。 离子溅射 物理溅射：入射粒子将动能转移给靶原子使之出射的 动力学过程。--多在中、高能量(keV--MeV)粒子轰击 条件下发生。 化学溅射：入射粒子使靶表面发生化学反应，从而切 断某些化学健使原子或原子团出射的化学过程。可延 续到更低的能量范围，在电子伏特量级仍有显著的溅 射效应。 离子溅射(电离及二次离子发射) 溅射产额(sputtering yield):平均每个入射的一次离 子所产生的溅射原子总数。 S=出射的粒子数/入射粒子总数 溅射时从表面射出的粒子可能是中性粒子或带有不 同电荷—正离子(+)、负离子(-)、或多重电离。对于 AxBy的化合物： + + - - + + - - S = {(A )+(B )+(A )+(B )+(A2 )+(B2 ) +(A2 )+(B2 ) 2+ 2+ ±P ±P + - +(A )+(B )+…+(A )+(B )+(A B ) +(A B ) n n 2 2 ±P 0 0 0 0 +…+(A B )+(A )+(B )+ (AB ) +…+(A )+ n m 2 (A 0)+ (A B 0)}/I 2 n m p 离子溅射与二次离子质谱 描述溅射现象的主要参数是溅射阈能和溅射产额。 溅射阈能指的是开始出现溅射时，初级离子所需 的能量。 溅射产额决定接收到的二次离子的多少，它与入 射离子能量、入射角度、原子序数均有一定的关系， 并与靶原子的原子序数、晶格取向有关。 Cu 的溅射产额与入射能量的关系 是入射方向与 样品法向的夹角。