第四章-1ZnS中电子陷阱能级对光电子瞬态过程的影响.docVIP

PAGE PAGE 9 4．1 ZnS电子陷阱能级对光电子瞬态过程的影响 任何实际应用的晶体中，都不可避免的存在着各种杂质原子和各种晶体缺陷，它们又常常是使晶体获得某种物理性能所必需的。由于杂质原子和晶体缺陷会破坏晶体完整的晶格周期性，凡是在晶格周期性遭到破坏的地方，就有可能产生新的定域能级，这些能级可以束缚电子或者空穴。晶体中的缺陷可以形成辐射复合中心（即发光中心）或者无辐射复合中心，如果材料灼烧过程中不加入杂质，在ZnS中自身激活的发光中心就是Zn2+空位；如果加入杂质，发光中心可能就是这些杂质离子。本节即通过改变制备工艺和杂质离子，改变材料中的电子陷阱能级的深度和密度，采用微波介电谱和热释光技术，研究ZnS中的定域能级及其深度和密度对光电子的影响机制。 4．1．1材料制备 样品1：将光谱纯10g ZnS原料掺入2g光谱纯的S和20g的SrCl作助熔剂，放入箱式炉中120℃烤干，将烤干的原料放入高纯氧化铝坩埚中，在1205℃ 样品2：将光谱纯10g ZnS原料掺入2g光谱纯的S和2g的Na 样品3：在NH4Br气氛中950℃灼烧10g高纯的ZnS，时间为2小时，清洗备用 样品4、5：取光谱纯的10gZnS原料，加入2g NaCl和2g S，掺入0.01％Eu（ZnS的质量比，Eu(NO3)3），加入适量的NaCl、MgCl、SrCl作助溶剂，在高温1205℃灼烧3小时，制备出4、5 样品6：在高纯ZnS加入适量的NaCl作助溶剂，在高温1205℃ 在制备材料1的过程中，由于所加入的助溶剂较多，助溶剂完全覆盖了ZnS原料，所合成的晶体在紫外线照射下为不发可见光的粉体。材料2的制备过程中，所加助溶剂较少，材料受到氧化作用，有较强的绿色荧光，且有较长的余辉，紫外照射下发出绿色荧光。材料3也存在较强的绿色荧光，但在室温下没有发现余辉发光。 4．1．2 样品热释光测量 如图1所示是三种材料的热释光曲线，从图中可以看出，材料1 在-160℃有一发光峰，但热释光强度很小，相对值1.85。材料3的热释光峰值位置-150℃，发光峰相对值是76.5，对应Br-掺杂形成的电子陷阱能级。材料2热释光曲线在- 图1. 样品的热释光曲线 Fig1. The curves of samples thermoluminescence 由上可见，三种不同条件制备的样品的热释光曲线和光电子衰减曲线有明显不同，在制备材料1的过程中，由于加入SrCl助熔剂较多，助溶剂可完全覆盖ZnS材料，氧化作用较小，晶体缺陷较少，晶体内形成的电子陷阱能级也较少，因而热释光强度非常小。而在NH4Br气氛中灼烧的材料中，有大量Br-进入到晶体中，形成较多的浅电子陷阱，因而有较强的热释光。以少量的NaCl作助溶剂灼烧的材料中，由于助溶剂较少，不能完全覆盖ZnS材料，在空气中的受到氧化作用，形成深浅两个电子陷阱能级。其浅电子陷阱能级和Cl-等有关，比样品3的电子陷阱能级略深且密度略大；其深能级可能是由于表面形成的ZnO和ZnS复合结构或S空位有关。 4．2．3 微波介电谱测量 图2（a）为样品1的自由光电子衰减曲线。其纵坐标为微波吸收功率的变化，信号强度与自由光电子数密度成正比，横坐标为衰减时间。将衰减曲线做成半对数曲线如图2（b）所示，光电子衰减出现快慢两个指数过程，快过程寿命为45ns，慢过程仍为指数衰减，自由光电子寿命为312ns。 图2 ZnS（SrCl） 光电子衰减曲线 图3（a）为样品3的自由光电子衰减曲线。将自由光电子数和时间关系作成半对数关系曲线，如图3（b）所示，可以看出导带光电子的衰减为指数衰减，自由光电子寿命为1914ns。 图4（a）所示为样品3的浅陷阱电子的衰减曲线。将电子密度和时间关系作成半对数关系曲线，如图4（b）所示，从衰减对数曲线可以看出电子的衰减为指数衰减，寿命为2375ns。 图3 ZnS（NH4Br）导带光生电子衰减曲线 图4 ZnS（NH4Br）浅陷阱电子衰减曲线 Fig4.The decay curve for shallow electron of ZnS(NH4Br) 图5 ZnS（NaCl）光电子衰减曲线 Fig5 .The decay curve for free photoelectrons of ZnS(NaCl) 图6 ZnS（NaCl）浅陷阱电子衰减曲线 Fig6.The decay curve for shallow electron of ZnS(NaC) 图5（a）为样品2的自由光电子衰减曲线。将自由光电子数和时间关系作成半对数关系曲线，如图5（b）所示，可以看出导带光电子的衰减为指数衰减，自由光电子寿命为1576ns。 图6（a）所示为样品2的浅陷阱电子的衰减曲线。将电子密度和时间