数电-第四章 part7时序电路分析.pptVIP

第4章 时序电路基础 §4-1 集成触发器 §4-2 同步时序电路 §4-3 集成计数器其及应用 §4-4 集成移位寄存器其及应用 §4-5 随机访问存储器 存储器的内部结构 例4×4RAM 例4×4RAM 例4×4RAM 读/写控制电路示意图 静态记忆单元示意图 常用的静态RAM芯片 2114的逻辑符号及框图 动态记忆单元 4K×1动态RAM框图 4K×1动态RAM框图 常用的动态RAM芯片 RAM的位扩展 RAM的字扩展 RAM的字扩展 RAM字、位同时扩展 动态RAM读写及刷新操作时序图 动态RAM读写及刷新操作时序图 动态RAM读写及刷新操作时序图 动态RAM读写及刷新操作时序图 两片8*4RAM扩展成8*8RAM: RAM的地址线和控制线分别并联在一起 数据线分别作为存储信息的高4位和低4位 两片8*4RAM扩展成16*4RAM: 地址线、数据线及读/写控制线并接在一起； A3及反相后的A3分别加于片1和片2的片选端 A3=1时，片1禁止，片2工作 A3=0时，片1工作，片2禁止 字扩展规模较大时: 由译码器根据高位地址产生各RAM的片选信号； * * * * * * * * * * 能用于存储大量数据或信号的器件。 §4-5 随机访问存储器与快闪存储器 半导体存储器：通过采用专门的电路结构，以满足大量数 据