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第28卷 第6期 总第128期
Vol28 No6 Journal of Materials Science Engineering Dec. 2010
:2010)
, , , ,
( ,, 030051)
,
200 ! 100N ,
40 , 1∀ 1,
, , ,
n
7 , ; 118 , ;
c
; ; ; ; .
: TN405 :A m
Thinning of Lithium Niobate Wafers with a Novel esigned
Lapping Tool and Measurements
o
U Wenlong, LIANGTing, XUE Chenyang, TANG Jianjun, YE Ting
c
(Key Laboratory of Instrumentation Science ynamic Measurement, North University of China, Ministry of Education,
.
China; National Key Laboratory forElectronicMeasurement Technology, Taiyuan 030051, China)
Abstract Because of the pyroelectric effects, infrared sensors made of lithium niobate have attracted
m
much attention for its potential applications. A lithium niobate wafer and a silicon substrate were bonded
together at 200# under a pressure of 100N. Lithium niobate had been thinned to 40 microns using a novel
p
designed lapping tool. T he abrasive contains water and corundum with a ratio of 1 ∀ 1. T he bonding and
thinning process of lithium niobate was studied. The residual stress was analyzed by Raman spectroscopy.
s
Sample surface roughness was tested by atomic force microscopy. Maximum difference of wafer thickness is 7
.
microns. After grinding, surface roughness of the wafer is 118nm. Lithium niobate chip
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