WiMAX片上变压器的分析探究与设计.pdfVIP

第43卷 第3期 电 子 科 技 大 学 学 报 V0l1．43 No．3 2014年5月 JournalofUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina May2014 LTE／WiMAX片上变压器的分析与设计 张华斌 ，一，蔡 敏 ，武海军3，李正平。 (1．华南理工大学电子与信息学院 广州 510640；2．电子科技大学中山学院 广东 中山 528402．3．广州润芯信息技术有限公司 广州 510663) 【摘要】针对TSMCO．13“mRFCMOS射频和混合l干言号工艺器件库中无变压器器件，而变压器器件是设计射频通信电路 的关键 ，该器件的有无直接影响射频通信前端电路性能的优劣．通过对多种片上变压器的性能研究，设计出应用于LTE／WiMAX 的八边形片上变压器，给出了与频率无关的集总元器件等效电路模型及模型参数提取公式，并对新器件进行了流片，测试结 果表明在0．1～10GHz频率范围内L、p参数具有 良好的吻合性，且耦合系教 良好，达到设计目的。该变压器的设计成功将有 助于4G通信芯片的开发和应用。 关 键 词 LTE／WiMAX；集总参数模型；八边形；片上变压器；射频 中图分类号 TN4，TN6 文献标志码 A doi：lO．3969~．issn．1001．0548．2014．03．008 AnalysisandDesignofOn-ChipTransformersforLTE／W iMAX ZHANGHua．bin ，CAIMni，WUHai-jun，andLIZheng．pnig。 (1．SchoolofElectronicandInformationEngineering,SouthChinaUniversityofTechnology GunagzhOU 510640； 2．ZhongshanInstitute，UniversiytofElectronicScienceandTechnologyofChina Zhongshna Guangdong 528402； 3．GunagzhouRunxinInformationTechnologyCo．，Ltd Gunagzhou510663) Abstract Trna sformerisakeydeviceinradiofrequencycommunicationcircuit,whichcandirectlyeffecton theperformnaceoftheI front．endcircuit．However．thereisnottrna Sfomr erni TSMC 0．13lam RF CMOS mixed．signalprocesslibrary．In orderto solvethisproblem．na octagonal仃naSfornlerwhich iSapplied in LTE，W iM AX isdesignednadfabricatedbyhtenaalysisofallknidsofon-chiptransformerperformnace，nadhte rfequency．nidependentlumped．elementequivalentcricuitmodelnadhteparameter-extractedexpressionsraegiven Themeasurementresultsshow thatLandD haveexcellentagreementwitlltllemeasureddatarfom hterfequency rangeof0．1GHzto 1OGHz．nadcouplnigcoefficientK isperfect．Thesuccessfuldesignofhtetransforrnerwill contributetohtedevelopmentnadapplicationof4G communicationchips． KeYwords 【E iⅣ X： lumpedparma etermodel； octagonal； on．chiprtna sfomr er