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电力电子器件双向可控硅介绍 元件简介： 一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端HYPERLINK /view/481400.htm器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空HYPERLINK /view/3952689.htm闸流管，所以国际上通称为硅HYPERLINK /view/51869.htm晶体闸流管，简称HYPERLINK /view/685100.htm可控硅T。又由于可控硅最初应用于可控HYPERLINK /view/299310.htm整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。 在性能上，可控硅不仅具有单向HYPERLINK /view/1496619.htm导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。 可控硅能以毫安级HYPERLINK /view/10897.htm电流控制大功率的机电设备，如果超过此HYPERLINK /view/30964.htm频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。 可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大HYPERLINK /view/44147.htm功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无HYPERLINK /view/21385.htm噪音；效率高，成本低等等。 可控硅的弱点：静态及动态的HYPERLINK /view/362846.htm过载能力较差；容易受干扰而误导通。 可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。 参数符号： IT(AV)--通态平均电流 VRRM--反向反复峰值电压 IDRM--断态重复峰值电流 ITSM--通态一个周波不反复浪涌电流 VTM--通态峰值电压 IGT--门极触发电流 VGT--门极触发电压 IH--维持电流 dv/dt--断态电压临界上升率 di/dt--通态电流临界上升率 Rthjc--结壳热阻 VISO--模块绝缘电压 Tjm--额定结温 VDRM--断态重复峰值电压 IRRM--反向重复峰值电流 IF(AV)--正向平均电流 产品命名： 双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端：TRIode(取前三个字母)交流HYPERLINK /view/19928.htm半导体开关：ACsemiconductorswitch(取前两个字母)，以上两组名词组合成“TRIAC”。中文译意“三端双向可控硅开关”。由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。 双　向：Bi-directional(取第一个字母) 控　制：Controlled(取第一个字母) HYPERLINK /view/122813.htm整流器：Rectifier(取第一个字母) 再由这三组英文名词的首个字母组合而成:“BCR”中文译意:双向可控硅。以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。双　向：Bi-directional(取第一个字母)三　端：Triode(取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的HYPERLINK /view/514830.htm型号命名，典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅。 代表型号如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅；Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。 而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘组合成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：四象限/绝缘型/双向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等；四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等； ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型号如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等