驱动1700vigbt的几种高性能ic选型设计-中国电新.docVIP

驱动1 700 V IGBT的几种高性能IC选型设计 王建渊 苟亚仙 西安理工大学 博世力士乐电子传动与控制（深圳）有限公司 摘要：通过对几种常用的1 700 V IGBT驱动专用集成电路进行详细的分析，对M579...Series和CONCEPT 公司的2SD--.Series进行深入的讨论，给出了电气特性参数和内部功能框图，设计了典型应用电路，讨论了使用要点及注意事项。根据每种IC驱动IGBT试验，验证了各自的特点及驱动1700V IGBT时的性能。 关键词：1 700 V IGBT 集成电路 高性能 Choosing Design of Several High Performance ICs for Driving 1 700 V IGBT Wang Jianyuan Gou Yaxian Abstract：Detail analysis are provided for several usually used special IC of driving 1700V IGBT, deep discussion is put up for M579...Series and 2SD--.Series product of CONCEPT company, electric performance parameter and inner function block diagram are given, typical applying circuits are designed, notice proceedings and using outline are discussed. According to driving experiments of each IC, the characteristics and performances of driving 1700V IGBT were validated. Keywords：1 700 V IGBT IC high performance 1 引言 电力电子变换技术的发展，使得各种各样的电力电子器件得到了迅速的发展。20世纪80年代，为了给高电压应用环境提供一种高输入阻抗的器件，有人提出了绝缘栅双极晶体管（IGBT）[1]。在IGBT中，用一个MOS门极区来控制宽基区的高电压双极型晶体管的电流传输，这就产生了一种具有功率MOSFET的高输入阻抗与双极型器件优越通态特性相结合的非常诱人的器件，它具有控制功率小、开关速度快和电流处理能力大、饱和压降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的电源、逆变器、不间断电源（UPS）和交流电机调速装置的设计中，是目前最为常用的一种器件。 2 关于IGBT的驱动特性分析 为了提高系统的可靠性，功率器件的驱动电路也在不断的发展，相继出现了许多的专用驱动集成电路。IGBT的触发和关断要求给栅极和发射极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件的关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。图1为一典型的IGBT驱动电路原理示意图。因为IGBT栅极-发射极阻抗大，故此可使用MOSFET驱动技术进行开通，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更强。 图1 典型的IGBT栅极驱动电路 对IGBT驱动电路的一般要求[2,3]： 1）栅极驱动电压：IGBT开通时，正向栅极电压的值应该足够令IGBT产生完全饱和，并使通态损耗减至最小，同时也应限制短路电流和它所带来的功率应力。在任何情况下，开通时的栅极驱动电压，应该在15～20 V之间。当栅极电压为零时，IGBT处于断态。但是，为了保证IGBT在集电极-发射极电压上出现dv/dt噪声时仍保持关断，必须在栅极上施加一个反向关断偏压，采用反向偏压还减少了关断损耗。反向偏压应该在-5～-15V之间。 2）串联栅极电阻（Rg）：选择适当的栅极串联电阻对IGBT栅极驱动相当重要。IGBT的开通和关断是通过栅极电路的充放电来实现的，因此栅极电阻值将对IGBT的动态特性产生极大的影响。数值较小的电阻是栅极电容的充放电较快，从而减小开关时间和开关损耗。所以，较小的栅极电阻增强了器件工作的耐固性（可避免dv/dt带来的误导通），但与此同时，它只能承受较小的栅极噪声，并可能导致栅极-发射极电容和栅极驱动导线的寄生电感产生振荡。 3）栅极驱动功率：IGBT的开关要消耗来自栅极电源的功率，其功率受栅极驱动正、负偏置电压的差值△VGE、栅极总电荷QG和工作开关频率fs的影响。电源的最大峰值电流IGPK为：IGPK=±（ΔVGE/Rg），电源的