基于水热合成纳米氧化镓及镓酸锌的形貌与性能研究-应用化学专业论文.docx

iIIIIPIIIIIIHlllIIflTIIUIY1918575原创性声明本人声明，所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了论文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得中南大学或其他单位的学位或证书而使用过的材料。与我共同工作的同志对本研究所作的贡献均已在论文中作了明确的说明。作者签名：≤纽!日期：乏!竺年』兰月2日学位论文版权使用授权书本人了解中南大学有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留学位论文并根据国家或湖南省有关部门规定送交学位论文，允许学位论文被查阅和借阅；学校可以公布学位论文的全部或部分内容，可以采用复印、缩印或其它手段保存学位论文。同时授权中国科学技术信息研究所将本学位论文收录到《中国学位论文全文数据库》，并通过网络向社会公众提供信息服务。作者签名：∥纽．导师博士学位本文的研究工作主要是采用水热法以Ga(N03)3为原料合成纳米氧化镓及其含氧酸盐。报道了在140℃的较低温度条件下添加表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(sodiumdodecylbenzenesulfonate，SDBS)合成直径为20I吼，长度为2岬，长径比为100的GaOOH纳米线。再对GaOOH纳米线退火处理得到了与前驱体形貌和尺寸相似的。【．Ga203，p-Ga203纳米线。报道了添加表面活性物质醋酸钠fNaAc，SA)，并在水热温度为170℃条件下合成粒径为5nIn的GaOOH纳米颗粒。研究发现，添加醋酸钠得到的GaOOH纳米颗粒在光激发下没有发射光谱，而添加十二烷基苯磺酸钠得到的GaOOH纳米线在244hill光激发下于390nln处被检测到由于OH一阴离子空位引起的紫光发射光谱，这是对GaOOH纳米线具有可见光激发发光性能的首次报道，这一结果说明了GaOOH不同的形貌和尺寸对其发光性能有极其重要的影响。在250-260姗光激发下，IB-Ga203纳米线和纳米颗粒的发射峰在437nIn的蓝光区，ct-Ga203纳米线和纳米颗粒发射峰蓝光区，这些是由于氧空位形成施主的电子和镓空位或镓氧空位对形成受主的空穴复合而激发出的光。IB-Ga203纳米线和纳米颗粒的发光强度高于0【．Ga203纳米线和纳米颗粒，是由于温度升高使基质热歧化，13-Ga20，产生表面缺陷和结构缺陷，从而提高了发光强度。在掺杂Eu3+合成纳米氧化镓的研究中，添加十二烷基苯磺酸钠在170℃水热合成了粒径为5．8nnl的GaOOH：Eu3+纳米颗粒，退火后得到的ct-Ga203：EU3+和13-Ga203：Eu3+形貌没有改变而尺寸增加到50nm，它们在394am下激发具有5Do-÷7Fi0=o．4)五个Eu3+的ff跃迁特征发射峰。添加醋酸钠在170℃水热合成的5nnl的纳米颗粒只有5D一7Fl和5D一7F2两个特征发射峰。添加十二烷基苯磺酸钠合成的GaOOH：Eu3+具有较强的发射光谱，原因是GaOOH的晶型结构与Q．A100H相似，是八面体的Ga3+06与O．H连接而成的斜方晶结构，Eu3+容易取代主晶格中的Ga3+，发光中心周围电子的不对称性使它具博七学位论文摘要有很高的发光强度。0【一Ga203：Eu”的发光强度优于p．Ga203：Eu”，这种现象归结于a-Ga203具有瓦3C对称性的Ga06八面体构型，而IB-Ga203具有等量的四面体Ga04和八面体Ga06共存的配位，Eu”更容易取代八面体Ga06中Ga3+的主晶格位置，引起晶格变形，Eu3+周围电子的非对称性加剧导致发光强度增大。随着纳米粒子中Eu20，的掺杂浓度升高观察到了发光猝灭现象。添加十二烷基苯磺酸钠合成的GaOOH：Eu3+,0【．Ga203：Eu3+和p．Ga203：Eu3十在Eu3+掺杂浓度为7m01％时发光强度最高，而添加醋酸钠合成中掺杂浓度为10m01％时发光强度最高。在掺杂Eu3+合成纳米镓酸锌的研究中，添加表面活性剂十二烷基苯磺酸钠在170℃条件下水热合成的纳米镓酸锌平均粒度在5．8am左右，粒度分布窄。纳米ZnGa204：Eu3+的红光发射以618am，592nnl和579n．til处的发射峰最强，592am的发射峰是磁偶极子跃迁(5Do_7FI)产生的，表明Eu3+占据了有反演对称的格位；618am的发射峰属于电偶极子跃迁(5Do_7F2)产生的，是大量的电子在整个晶格范围内的跃迁占据了非反演对称的格位，此时的Eu3+周围的电子具有极强的不对性，产生了晶格扭曲。579nln属于5Do一7Fo的跃迁发射，是由于Eu”周围的低对称性引起的。本研究中Eu3+的掺杂浓度为11m01％时，ZnGa204：Eu3+的发光强度最高。采用添加十二烷基苯磺酸钠在170℃条件下水热合成的ZnG