第4章号半导体二极管和晶体管2.pptVIP

2009-2-9 电路与模拟电子技术基础 4.3.1 晶体管的结构及其类型 4.3.2 晶体管的电流放大原理 （以NPN管为例） 1、放大状态下晶体管中载流子的运动 外加偏置电压要求 2、电流分配关系 晶体管是流控元件 晶体管的主要功能： 电流控制 （基极电流控制集电极电流） 电流放大 （放大的比例关系一定） 4.3.3 晶体管的特性曲线 下面以共射极电路为测试电路 1 共射极输入特性曲线 共射组态晶体 管的输入特性： 2 共射极输出特性曲线 共射组态晶体管的输出特性： 它是指一定基极电流IB下，三极管的输出回路集电极电流IC与管压降UCE之间的关系曲线。 一、放大区 ★发射结正向偏置， 集电结反向偏置 1、基极电流 iB 对集电极电流 iC 的控制作用很强 放大区 2、uCE 变化时, iC 影响很小（恒流特性） 2、饱和区 ★发射结和集电结均正向偏置 饱和区 饱和压降UCE(sat)： 饱和时，集电极和发射极之间的电压 UCE(sat) = 0.3V （小功率Si管） ； UCE(sat) = 0.1V （小功率Ge管） 。 3、截止区 ★发射结和集电结均反向偏置 4.3.4 晶体管的主要参数 一、电流放大系数 1、共射直流放大系数 2、共射交流放大系数 常认为： * 4.3 晶体管 晶体三极管又称为半导体