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独 创 性 声 明
本人郑重声明:所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取 得研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包 含其他人已经发表或撰写的研究成果,也不包含为获得宁波大学或其他教育机 构的学位或证书所使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡 献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。
若有不实之处,本人愿意承担相关法律责任。
签名:___________ 日期:____________
关于论文使用授权的声明
本人完全了解宁波大学有关保留、使用学位论文的规定,即:学校有权保 留送交论文的复印件,允许论文被查阅和借阅;学校可以公布论文的全部或部 分内容,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。
(保密的论文在解密后应遵循此规定)
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宁波大学硕士学位论文
宁波大学硕士学位论文
基于三苯胺高分子阻变存储与突触仿生研究
摘 要
1971 年,蔡少棠从理论上预言了存在第四种无源器件忆阻器;2008 年,HP 公 司通过实验第一次验证了忆阻器的存在。最近几年,忆阻器因其独特的电学性质而 被广泛关注,其中最主要的两个研究方向是阻变随机存储器和突触仿生。忆阻器因 具有优良的可缩小性、快速擦写、超高存储密度等而被认为是下一代非易失性存储 的有力候选者之一。同时,忆阻器具有非线性传输、可通过外界电压连续调节电导 等特点,使其用于制作人造突触具有先天优势。本论文中,我们以三苯胺基高分子 为载体,制备了一系列忆阻器,分别开展了忆阻器用作阻变随机存储器和忆阻器用 作突触仿生的研究工作。
第一章中,我们以忆阻器为起点,概述了忆阻器、阻变随机存储器和突触仿生 器件的研究历史和发展现状。针对有机阻变存储器和突触仿生领域内的热点问题提 出了解决途径,最后探讨了本论文的研究内容和意义。
第二章中,针对线型聚合物材料分子链间易相互作用而形成聚集体或激发态原 子链,劣化阻变存储性能这一问题,我们设计合成了线型结构和超支化结构聚甲亚 胺材料。与线型结构聚甲亚胺相比,超支化结构聚甲亚胺具有更加稳定的高低阻态、 更优异的循环耐受性和抗疲劳性。
第三章中,针对聚合物材料阻变随机存储器开关比小、热稳定性差这一问题, 我们合成了聚三苯胺材料,并将其作为功能层制备了阻变随机存储器。Pt/聚三苯胺
/Ta 表现出了双极性阻变的特点,器件的 Set 电压随聚三苯胺厚度线性增加,Reset
电压保持不变。Pt/聚三苯胺 90nm/Ta 开关比为 108,在 30K-390K 温度范围内器件 可以正常工作。C-AFM 表征发现聚三苯胺薄膜中导电通道的通断是聚三苯胺发生阻 变的原因。
第四章中,针对传统用来模拟生物突触的忆阻器大都是基于无机材料,为了拓 展人造生物突触的材料领域和利用有机材料的优点,我们设计合成新型 BTPA-F 高 分子材料,制备了 Pt/BTPA-F/EV(ClO4)2/Ta 人造突触,并成功模拟了突触的增强与 抑制、学习、遗忘、脉冲时间依赖可塑性、脉冲速率依赖可塑性等性能。
I
基于三苯胺高分子阻变存储与突触仿生研究
基于三苯胺高分子阻变存储与突触仿生研究
第五章中,总结了本论文的研究结果,展望了未来的研究方向。
关键词:三苯胺;共轭聚合物;忆阻器;阻变随机存储器;突触仿生
II
宁波大学硕士学位论文
宁波大学硕士学位论文
Resistive switching memory and synaptic emulation based on triphenylamine-containing polymer
Abstract
In 1971, Leon O. Chua predicted the existence of memristor. In 2008, HP verifies its existence in experiment for the first time. In recent year, because of the special electrical property, memristor have been extensively researched for the application of resistive random access memory (RRAM) and synaptic emulation. Memristor is considered as one of the most powerful candidate of the next generation memory due to its good scalability, high ope
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