第三章薄膜材料的制备.ppt

3、气体控制系统 在CVD反应体系中使用了多种气体，如原料气、氧化剂、还原剂、载气等，为了制备优质薄膜，各种气体的配比应予以精确控制。目前使用的监控元件主要有质量流量计和针型阀。 4、排气处理系统 CVD反应气体大多有毒性或强烈的腐蚀性，因此需要经过处理才可以排放。通常采用冷吸收，或通过淋水水洗后，经过中和反应后排除。随着全球环境恶化，排气处理系统在先进CVD设备中已成为一个非常重要的组成部分。 例：钢件表面CVD法沉积TiC薄膜 其中，工件11置于氢气保护下，加热到1000～1050℃，然后以氢气10作载流气体把TiCl47和CH4气1带入炉内反应室2中，使TiCl4中的钛与CH4中的碳（以及钢件表面的碳）化合，形成碳化钛。反应的副产物则被气流带出室外。 沉积反应如下： 工艺参数： 气体中的氧化性组分（如微量氧、水蒸气）； 沉积温度； 气体的流量以及含碳气体与金属卤化物的比例；（钛与碳的比例最好在1：（0.85～0.97）之间）； 沉积时间等。 第四节 液相反应沉积 通过液相中进行的反应而沉积薄膜的方法为液相反应沉积。有多种液相反应沉积工艺。 一、液相外延技术 从饱和溶液中，在单晶衬底上生长外延层的成膜方法。 单晶结构薄膜是用外延工艺制备的。外延生长是薄膜形成过程中一种有方向性的生长。外延生长的三个基本条件是吸附原子的表面扩散速率、基体与薄膜材料的结晶相容性和基体表面状态。要使外延生长进行，吸附原子必须具有较高的表面扩散速率，因此基体温度和沉积速率是两个非常重要的物理量。 液相外延的优点是：生产设备简单；外延膜纯度高，生长速率快；重复性好，组分、厚度可精确控制；外延层位错密度比衬底低；操作安全，无有害气体。但对薄膜与衬底的晶格常数匹配要求较高。 二、化学镀 利用还原剂，在镀层物质的溶液中进行化学还原反应，在镀件的固液两相界面上析出和沉积得到镀层。溶液中的金属离子被镀层表面催化，并因不断还原而沉积于衬底表面。 化学镀中还原剂的电位比金属的电离电位低些，化学镀中常要求有自催化反应发生，即自催化化学镀，其特点是：可在夏杂的镀件表面形成均匀的镀层；不需要导电电极：通过敏化处理活化，可直接在塑料、陶瓷、玻蘑等非导体上镀膜；镀层孔隙率低；镀层具有特殊的物理、化学性质。 三、电化学沉积 常用的有两种方法。 1、阳极氧化法 Al、Ti、V等金属或合金，在适当的电解液中作阳极，以石墨或金属本身作阴极，加一直流电压，阳极金属表面会形成稳定的氧化物薄膜。此过程称阳极氧化。这种镀膜方法称阳极氧化法。 1、阳极氧化法 反应过程原理为： 金属的氧化： M+nH2O→MOn+2nH++2ne 金属的溶解： M→M2n++2ne 氧化物的溶解： MOn+2nH+→M2n++nH2O 2、电镀 电镀是利用电解反应，在处于负极的衬底上进行镀膜的方法，又称湿式镀膜技术。 四、溶胶—凝胶法（*） 用适当的溶剂将无机材料或高分子聚合物溶解，制成均质溶液，将干净的玻璃片或其他基片插入溶液，滴数滴溶液在基片上，用离心甩胶等方法涂敷于基体表面形成胶体膜，然后进行干燥处理，除去溶剂制得固体薄膜。这一制膜方法，称溶胶—凝胶法。 磁控溅射的工作原理： 以磁场来改变电子的运动方向，并束缚和延长电子的运动轨迹，从而提高了电子对工作气体的电离几率和有效地利用了电子的能量。因此，使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效。同时，又只能在其能量要耗尽时才沉积在基片上。这就是磁控溅射具有“低温”、“高速”两大特点的原因。 磁控溅射设备 磁控溅射典型的工作条件为：工作气压0.5Pa，靶电压600V，靶电流密度20mA／cm2，荫膜沉积速率2 μm/min 。 磁控溅射的特点： a.电场与磁场正交设置，约束电子在靶面近域，致使靶面近域有高密度等离子体，溅射速率很高； b.磁控溅射源相对被镀件独立，基片不再受电子轰击而升温，可对塑料等不耐高温的基片实现溅射镀； c.磁控溅射源可以像热蒸发源一样使用，从而使被镀件的形状和位置不再受限制。 （4）反应溅射（属化学成膜） 一般认为，化合物是在原子沉积的过程中，由溅射原子的活性气体分子在衬底表面发生化学反应而形成的。这种在沉积的同时形成化合物的溅射技术被称为反应溅射方法。 利用反应溅射不仅可以制备Al2O3、SiO2、SnO2等氧化物。还可以制备其他的化合物，如： 碳化物，如SiC、WC、TiC等； 氮化物，如TiN、AlN、Si3N4等； 硫化物，如CdS、ZnS、CuS等； 复合化合物，如碳氮化物Ti(C，N)等。 反应溅射既可以是直流反应溅射，也可以是射频反应溅射。 三、脉冲激光沉积(PLD) 利用脉冲聚焦激光烧蚀靶材，使靶的局部在瞬间