电子线路PPT(梁明理)第五版第一章.pptVIP

模拟电子线路 绪 论 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 PN结的形成 ★PN结：采用不同的掺杂工艺，将P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。 PN结形成过程分解： （2）转移特性曲线 (iD与vGS的关系曲线) 例题：测得放大电路中4只三极管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明他们是硅管还是锗管。 例题：1.14 1. 限幅电路： 限幅是指输出信号的幅度受到规定电压（限幅电压）的限制。 单向限幅电路：如12页图 1.2.4 二极管应用举例 限幅电平为+VR的上限幅电路 vi O t VR vO O t VR D 截止 Vo=Vi D 导通 VO=VR 2. 稳压电路 正常稳压时 VO =VZ 限流电阻R的选择： IZmin ≤ IZ ≤ IZmax 1.3 半导体三极管 （双极型晶体管） 1.3.1 晶体管的结构及符号 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度高； ? 集电结面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度低。 平面型结构 1.晶体管内部载流子的传输过程（以NPN为例） 三极管能起放大作用的条件：发射结正偏，集电结反偏。 （1）发射区向基区注入载流子的过程 1.3.2晶体管的电流放大作用 （3）集电区收集电子的过程 （2）电子在基区扩散和复合的过程 电流分配关系 IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO IB= IB’- ICBO InC 为传输到集电极的电流 ICBO 为集电结反向饱和电流 N N P Je Jc EI?EBE EI+ECB B VBE IB E IE C VCB IC 电子流 IB’ 为基区的复合电流 2. 晶体管直流电流传输方程 通常 IC ICBO ? 为共基电流放大系数，一般 ? = 0.95?0.99 三种接法：共基极、共发射极、共集电极 （1）.共基极直流电流传输方程 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共基极直流电流传输方程 IC= InC+ ICBO IB= IB’- ICBO IE=IB+ IC 根据 ? 为共射电流放大系数，一般 ? 1 IE=IB+ IC 可得 （2）.共发射极直流电流传输方程 称为穿透电流 通常 IC ICBO 共发射极接法： 发射极作为公共电极 共发射极直流电流传输方程 IC= InC+ ICBO IB= IB’- ICBO IE=IB+ IC 共集电极接法: 集电极作为公共电极 可得 IE=（1＋β）IB+ICEO （3）.共集电极直流电流传输方程 将 代入 IE=IB+ IC 可得 IE≈（1＋β）IB 忽略 ICBO 共集电极直流电流传输方程 3. 三极管的三种组态 共集电极接法， 集电极作为公共电极， 共基极接法， 基极作为公共电极， 共发射极接法， 发射极作为公共电极， IE= (1+β) IB vCE = 0V iB=f(vBE)? vCE=const (2) 当vCE≥0V时，集电结反偏，变宽，基区变窄，复合掉的载流子所占的比例减少，VB Eˉ→VCE↑→IB↓特性曲线右移。 vCE = 0V vCE ? 1V (1) 当vCE=0V时，相当于两个二极管并联的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 1.3.3 晶体管的共射组态特性曲线 (3) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线基本重合。 + iB iC - mV mA uA V vCE vBE + - VBB RB C B E (3) 输入特性曲线的三个部分 ①死区(门限区) ②非线性区 ③线性区 iC=f(vCE)? iB=const 2. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。发射结加上了反向偏压，发射结反向截止。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 + iB iC - mV m