第三章费米分布及玻耳兹曼分布.ppt

* 假如再在其中都掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质，那么将出现杂质补偿，第一种半导体补偿后将变为p型半导体，第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。 因此，第一种半导体中的空穴的浓度为1. 1×1010cm-3,费米能级在价带上方0.234eV处；第一种半导体中的空穴的浓度为3.3×103cm-3,费米能级在价带上方0.331eV处。掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质后，第一种半导体补偿后将变为p型半导体，第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。 * 代入，可得费米能级表示式为： (3.5-14) 将n0的表示式 显然，当NDNA (或者NA=0）时，即当n0 ? ND时， 费米能级为： (3.5-15) 3.5 一般情况下的载流子浓度 * （4）过渡区 此时，电中性条件变为： 半导体所处温度超过杂质饱和电离的温度区之后，本征激发不可忽略，随温度升高，因本征激发产生的载流子浓度迅速增加，ND-NAni的条件已不成立。如果ND-NA与ni的数值相比拟，称这种情况为处于过渡温度区。 (3.5-16) + + + + + + + - - - - - EF EV EA ED EC 过渡温度区 + + - - - - + - 3.5 一般情况下的载流子浓度 * 结合方程 解得电子和空穴浓度： (3.5-17) (3.5-18) 将 分别代入上两式均可解得过渡温度区半