新激光课相件第三章 典型激光器03.pptVIP

1.异质结及其特点 如图对于GaAs类半导体激光器,由同种材 料——GaAs构成的p-n结即为同质结。若一侧 为GaAs, 而另一侧为GaAlAs所构成的结为“异质结”。若整个半导体激光器仅有一个异质结则称为单异质结(SH)激光器,有两个异质结则为双异质结(DH)激光器。 同质结、异质结结构示意图 2.对异质结两侧的材料的技术要求: (1)要求两种材料的晶格常数尽可能相等,若在结合的界面处有缺陷,载流子将在界面处复合掉,不能起到有效的注入、放大和发光的作用; (2)为了获得较高的发光效率,要求GaAlAs材料是竖直跃迁型的; (3)为了获得高势垒,要求两种材料的禁带宽度 有较大的差值. 光在半导体晶体中传播时,折射率主要与材料的原子结构和晶格结构有关。 (1)对同一光波,掺杂浓度愈大,GaAs的折射率n愈低; (2)在GaAlAs材料中,折射率随Al含量x变化。当x=0时,即GaAs的折射率为n=3.59,而x=1时,即GaAlAs的折射率为2.971。由此可见,当GaAs和GaAlAs构成异质结时,界面处将产生折射率突变; (3)一般折射率随温度升高而增大。 3.GaAs材料中折射率的变化特点 4.单异质结半导体激光器: 激活区厚度 光波导效应 阈值电流密度降低 由于有源区宽度和光波导传输差这两个原因,致使同质结受激发射的阈值电流密度较高,在室温下,脉冲工作的典型阈值电流密度达3X104~5X104A/cm2,而异质结(SH)激光器的阈值电流密度降低至约8000A/cm2。 * 教学理念 中心特色 中心成果 中心地位 中心案例 对外交流 3.5 半导体激光器 以半导体材料为工作物质的激光器称为半 导体激光器。它具有超小型、高效率、低成本、工作速度快和波长范围宽等特点。它是激光光纤通信的重要光源。目前在光存储、激光高速印刷、全息照相、激光准直、测距及医疗等许多方面广泛应用。而在光信息处理、光计算机和固体激光器泵浦等方面却正是方兴未艾。 自1962年半导体砷化镓（GaAs）同质结激光器问世后，半导体从同质结、单异质结、双 异质结到半导体激光器阵列，波长范围履盖了可见光到长波红外，逐渐地成为现代激光器件中的应用面最广、发展最为迅速的一种重要器件类型。 欲使半导体材料产生激光，就要使半导体材 料中电子能态发生变化，以形成一定的粒子数反 转，并且要有一个合适的光学共振腔。但是，由于半导体材料中电子运动的特殊性半导体激光器又有着许多不同于气体和固体激光器的特性。 构成半导体激光器的工作物质是半导体晶体。在半导体晶体中，电子的运动状态和单个原子时的情况大不相同，尤其是其外层电子有了明显的变化，即所谓的“共有化运动”。 1．能带 一、半导体的能带结构和电子状态 量子力学证明：当N个原子相接近形成晶体 时，由于共有化运动，原来单个原子中每一个 允许能级要分裂成N个与原来能级很接近的新能级。在 实际的晶体中，由于原子数目N非常大，新能级又与原 原来能级非常接近，所以两个新能级间距离很小，几 乎可把这一段能级看作是连续的。我们便把这N个能 级所具有的能量范围称为“能带”。 固体的能带 不同的能带之间可以有一定的能量间隔，在这 个间隔范围内电子不能处于稳定状态，实际上形成一 个能级禁区，称为“禁带”。此间距用禁带宽度 Eg来 衡量。如图说明了电子轨道、能级及能带之间的对应 关系。 电子轨道,能级,和能带 在晶体中，由价电子能级分裂而成的能带 叫做“价带”如某一能带被电子填满，则称之为 “满带”，而在未激发情况下无电子填入的能带 叫做“空带” ，若价带中的电子受激而进入空带，则此空带称为“导带”，同时，价带上由于价电子激发到导带后留下一些空着的能级称为“空穴”。 本征半导体的能带 纯净(本征)半导体材料，如单晶硅、锗等，在绝对温度为零的理想状态下，能带由一个充满电子的价带和一个完全没有电子的导带组成。 在纯净的、不含杂质的半导体中，由于热运 动而产生的自由电子和空穴数量很少。但如果半 导体中掺入杂质，情况就不同了。如GaAs（III一V族化合物）中掺入碲（VI族元素），就会在导带下形成杂质能级ED，如图 （a）。杂质能级上电子很容易转移至导带上去，这种杂质称为施主。掺施主杂质的半导体称为电子型半导体或N型半导体。而如果我们在GaAs中掺入II族元素如Zn，则会在价带上方形成受主杂质能级，如图 (b)。价带上的电子可跑到受主能级上去，从而在价带上产生许多空穴。这种半导体称为空穴型半导体或P型半导体。 2.半导体类型 半导体的杂质能级 一般低掺杂半导体中，杂质能级是一些位于禁带中的分立能级。但当