112半导体器件.ppt

（3）折线模型 3.开关电路 3. 载流子传输过程 4 结型场效应管特性曲线小结 VGS ＜ VT，管子截止 VGS ＞VT，管子导通 VGS 越大，沟道越宽，电阻越小,在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大 N沟道增强型MOS管的基本特性 表2 - 1 三极管电流关系的一组典型数据 2.96 2.37 1.77 1.16 0.57 0.01 0 IE/mA 2.91 2.33 1.74 1.14 0.56 0.01 0.001 IC/mA 0.05 0.04 0.03 0.02 0.01 0 -0.001 IB/mA 相应地, 将集电极电流与发射极电流的变化量之比, 定义为共基极交流电流放大系数, 即 故 显然β与β, α与α其意义是不同的, 但是在多数情况 下β≈β, α≈α。 例如, 从表2 - 1 知, 在ＩＢ＝００３mA附近, 设ＩＢ由００２mA变为００４mA, 可求得 1.3.3 三极管的特性曲线 1．输入特性曲线 与二极管类似 iB=f(vBE)? vCE=常数 UCE ?1V IB/?A UBE/V 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降， 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。 iC=f(vCE)? iB=常数 2．输出特