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PAGE PAGE 1 芯片封装概述 **** 　　摘要：本文介绍了芯片封装的演变过程，并以BGA为重点，介绍了当前较为先进的面积阵列封装。 　　关键词：封装，组装，面积阵列封装，球栅阵列封装 引言 　　随着半导体技术的飞速发展，IC在处理速度上的高速增长，处理能力上的增强，芯片内部结构日趋复杂。因而IC制造也遇到挑战，其封装形式的小型化与I／0端数量的增长的矛盾推动封装形式的革新。 l.封装形式的演变 1.1? 双列直插式封装DIP(Dual In—line Package) 　　传统芯片因工艺、功能等诸多因素制约，多采用DIP形式封装，甚至有些采用SIP(Single In—line Package)封装。相对于采用SMD这样组装所占面积较大，给设备小型化带来困难，且组装自动化程度较低。64脚DIP封装的IC，安装面积为25.4mm*76.2mm，相同端数采用引脚中心距为0.64mm无引线器件进行表面安装，安装面积为12.7mm*12.7mm，仅为前者的l／12。 1.2? SMT常用封装 1.2.1? 小外型封装SOP(Small Outline Package) 　　SOP器件又称为SOIC(Small Outline Integrated Circuit)，是DIP的缩小形式，引线中心距为1.27mm，引脚形式：欧翼型、J型、I型，常用欧翼型。 1.2.2? 塑封有引线芯片载体PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier) 　　塑封有引线芯片载体PLCC，引线中心距为1.27mm，引线呈J形，向器件下方弯曲，有矩形、方形两种。PLCC器件组装面积小，引线强度高，不易变形，多根引线保证了良好的共面性，使焊点的一致性得以改善。因J形引线向下弯曲，检修有些不便。 1.2.3? 无引线陶瓷芯片载体LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier) 　　无引线陶瓷芯片载体LCCC电极中心距有1.0mm、1.27mm两种。因为是无引线组装，故寄生参数小，噪声、延时特性明显改善；亦因无引线，应力小，焊点易开裂。 1.2.4? 方形扁平封装QFP(Quad Flat Package) 　　方形扁平封装QFP，主要应用于ASIC(Application Of Specific Integrated Circuit)专用集成电路。普通引线中心距为1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm，目前亦有采用0.3mmQFP。为保证引出线良好的共面性，美国的QFP器件四个脚都有一个突出的脚，其尺寸超过引出线O.05mm。 1.3小结 　　综合上述介绍，I／O数量的增加是以牺牲引线间距为代价。间距的缩小给芯片制造、组装工艺提出更高要求，难度亦随之增加，加之间距亦有极限，因此即使I／O数较多的QFP的发展也受到间距极限的限制，因而更新型的封装，更先进的技术就呼之欲出。 2．新型封装 2.1? 球栅阵列BGA(Ball Grid Array) 　　正如1.3所述，缩小间距不是解决I／O数增长最有效的解决方案。于是便有以封装底面来互连的解决办法，这便是面积阵列封装AAP(Area Array Package)。采用AAP，相同I／O数与组装面积，AAP间距明显较大，这使组装容易，芯片制造难度下降；相同的组装面积和间距，AAP可使I／O数增多；若间距、I／O数相同，AAP的组装面积明显较小，这使设备的小型化易于实现。因此AAP成为当前封装的热点和趋势。以结构形式划分，AAP可分为BGA和FC。BGA又可分为PBGA、CBGA、CCGA、TBGA四类，下面分述之。 2.1.1? 塑封球栅阵列PBGA(Plastic Ball Grid Array) 　　PBGA是最普遍的BGA封装类型，其载体为普通的印制板基材，如FR—4等。硅片通过金属丝压焊方式连到载体的上表面，然后塑料模压成型。有些PBGA封装结构中带有空腔，称热增强型BGA，简称EBGA。 　　下表面为呈部分或完全分布的共晶组份(37Pb／63Sn)的焊球阵列，焊球间距通常为1.0mm、1.27mm、1.5mm。 PBGA有以下特点： 其载体与PCB材料相同，故组装过程二者的热膨胀系数TCE(Thermal Coefficient Of Expansion)几乎相同，即热匹配性良好。 组装成本低。 共面性较好。 易批量组装。 电性能良好。 2.1.2? 陶瓷球栅阵列CBGA(Ceramic Ball Grid Array) 　　CBGA即是以多层陶瓷作载体，硅片采用金属丝压焊方式或采用硅片线路面朝下，以倒装片方式实现与载体的互联，然后用填充物包封，起到保护作用。陶瓷载体下表面是90Pb／10Sn的共晶焊球阵列，焊球间距常为1.0mm和