半导体三极管04961.pptVIP

二、万用表检测晶体三极管的方法 1. 根据外观判断极性 3. 用万用表电阻挡测量三极管的好坏 PN结正偏时电阻值较小(几千欧以下) 反偏时电阻值较大(几百千欧以上) 指针式万用表 在 R?1k 挡进行测量 红表笔是(表内)负极 , 黑表笔是(表内)正极 注意事项: 测量时手不要接触引脚 ?1k B E C ?1k B E C 2. 插入三极管挡(hFE)，测量?值或判断管型及管脚 三、晶体三极管的选用 1. 根据电路工作要求选择高、低频管 2. 根据电路工作要求选择PCM、 ICM 、 U(BR)CEO 应保证： 3. 一般三极管的 ? 值在40~100之间为好, 9013、9014等 低噪声、高? 的管子不受此限制….. 4. 穿透电流 ICEO越小越好，硅管比锗管的小 数字万用表 1. 可直接用电阻挡的PN结挡分别测量判断两个结 的好坏 注意事项: 红表笔是(表内)正极 , 黑表笔是(表内)负极 NPN和PNP管分别按EBC排列插入不同的孔 需要准确测量 ? 值时，应先进行校正 2. 插入三极管挡(hFE)，测量 ? 值或判断管型及管脚 PC PCｍ ICM ＩCｍ U（BR）CEO ＶCＣ 附录：半导体器件的命名方式 第一部分 数字 电极数 2—二极管 3—三极管 第二部分 第三部分 字母(汉拼) 材料和极性 A — 锗材料N型 B — 锗材料P型 C — 硅材料N型 D — 硅材料P型 A — 锗材料PNP B — 锗材料NPN C — 硅材料PNP D — 硅材料NPN 字母(汉拼) 器件类型 P — 普通管 W — 稳压管 Z — 整流管 K — 开关管 U — 光电管 X — 低频小功率管 G — 高频小功率管 D — 低频大功率管 A — 高频大功率管 第四部分 第五部分 数字 器件序号 字母(汉拼) 规格号 例如: 2CP 2AP 2CZ 2CW 3AX31 3DG12B 3DD6 3CG 3DA 3AD 3DK 常用小功率进口三极管 9011 ? 9018 * § 晶体三极管的伏安特性曲线 晶体管的伏安特性曲线是描述三极管的各端电流与两个PN结外加电压之间的关系的一种形式，其特点是能直观，全面地反映晶体管的电气性能的外部特性。 晶体管的特性曲线一般用实验方法描绘或专用仪器（如晶体管图示仪）测量得到。 晶体三极管为三端器件，在电路中要构成四端网络，它的每对端子均有两个变量（端口电压和电流），因此要在平面坐标上表示晶体三极管的伏安特性，就必须采用两组曲线簇，我们最常采用的是输入特性曲线簇和输出特性曲线簇。 *  输入特性是指三极管输入回路中，加在基极和发射极的电压UBE与由它所产生的基极电流IB之间的关系。 （1）UCE = 0时相当于集电极与发射极短路，此时，IB和UBE的关系就是发射结和集电结两个正向二极管并联的伏安特性。 因为此时JE和JC均正偏，IB是发射区和集电区分别向基区扩散的电子电流之和。 一、输入特性曲线 * 输入特性曲线簇 * （2）UCE≥1V 即：给集电结加上固定的反向电压，集电结的吸引力加强！使得从发射区进入基区的电子绝大部分流向集电极形成Ic。 同时，在相同的UBE值条件下，流向基极的电流IB减小，即特性曲线右移， 总之，晶体管的输入特性曲线与二极管的正向特性相似，因为b、e间是正向偏置的PN结（放大模式下） * 1.3.4 特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 * 一、输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 * 二、输出特性曲线 输出特性通常是指在一定的基极电流IB控制下，三极管的集电极与发射极之间的电压UCE同集电极电流Ic的关系。 现在我们所见的是共射输出特性曲线表示以IB为参变量时，Ic和UCE间的关系： 即 Ic= f(UCE)|IB = 常数 实测的输出特性曲线如图所示：根据外加电压的不同，整个曲线可划分为四个区： 放大区、截止区、饱和区、击穿区 * 二、输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 * IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V