md03--半导体二极管.pptVIP

第3次课 半导体二极管 主要内容 二极管的结构 二极管的分类 二极管的特性 二极管的主要参数 二极管电路的分析 稳压二极管 目的要求 了解二极管的结构及分类 掌握二极管的特性及其应用 理解二极管的主要参数 重点：二极管的外特性及其应用 发光二极管的舞台效果 伏安特性总结 二极管具有单向导电性 加正向电压时，导通，呈现很小的正向电阻，如同开关闭合 加反向电压时，截止，呈现很大的反向电阻，如同开关断开 应用：整流二极管 检波二极管 开关二极管 二极管是非线性器件 实践：如何用万用表检测二极管？ 3、温度特性 温度升高时，反向饱和电流增大，正向电流也增大。温度升高10℃，IS 约增加1倍。 4、电容特性 四、二极管的主要参数 最大整流电流 IF ————二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 最高反向工作电压 UR ————工作时允许加在二极管两端的反向电压值。通常将击穿电压 UBR 的一半定义为 UR 。 反向电流 IR 最高工作频率fM ————fM 值主要 决定于PN 结结电容的大小。结电容愈大，二极管允许的最高工作频率愈低。 符号 主要参数 稳定电压 UZ ————稳压管工作在反向击穿区时的稳定工作电压 稳定电流 IZ ————正常工作的参考电流。I IZ 时 ，管子的稳压性能差； I IZ ，只要不超过额定功耗即可。 动态电阻 电压温度系数 额定功耗 作业 3.4.5（a）(c) 3.4.6(a) 3.4.9 3.5.1 * 　 将PN 结封装在塑料、玻璃或金属外壳里，再从P 区和N 区分别焊出两根引线作阳、阴极。 一、二极管的结构 符号 一、二极管的结构 二、二极管的类型 按材料分 硅二极管 锗二极管 按结构分 点接触型二极管----不允许通过较大的电流，可在高频下工作 面接触型二极管----结面积大，允许流过的电流大，但只能在较低频率下工作 按用途分 整流二极管 稳压二极管 检波二极管 开关二极管 发光二极管 变容二极管 ……… 三、二极管的特性 伏安特性 正向伏安特性 反向伏安特性 击穿特性 温度特性 电容特性 1、伏安特性 流过二极管的电流与加在二极管两端的电压的关系曲线 I = f (U )就是二极管的伏安特性。 60 40 20 – 0.002 – 0.004 0 0.5 1.0 –25 –50 I / mA U / V 正向特性 硅管的伏安特性 击穿电压 反向特性 – 50 I / mA U / V 0.2 0.4 – 25 5 10 15 –0.01 –0.02 0 锗管的伏安特性 死区电压 正向特性 当正向电压较小时，正向电流很小，几乎为零。 死区 死区电压（门坎电压） 死区电压与材料和温度有关 硅管约 0.5 V 左右，锗管约 0.1 V 左右 当正向电压超过死区电压后，随着电压的升高，正向电流迅速增大 硅管导通电压0.7V 锗管导通电压0.2V 死区 60 40 20 0 0.4 0.8 I / mA U / V 60 40 20 0 0.4 0.8 I / mA U / V 几十μA 0.1~0.3V 0.1V 锗Ge 1μA以下 0.5~0.8V 0.5V 硅Si 反向饱和电流 导通电压 开启电压 材料 反向特性 二极管加反向电压，反向电流很小。 当电压超过零点几伏后，反向电流不随电压增加而增大，即饱和； 击穿——反向电压继续升高，大到一定数值时，反向电流会突然增大。 反向击穿电压 电击穿可逆——击穿并不意味管子损坏，若控制击穿电流，电压降低后，还可恢复正常。 热击穿不可逆 – 0.02 – 0.04 0 –25 –50 I / mA U / V 反向饱和电流 击穿电压 U(BR) 伏安特性表达式(二极管方程) 其中，IS ——反向饱和电流 UT ——温度的电压当量；在常温(300 K)下，UT ? 26 mV 二极管加反向电压，即 U 0，且 |U | UT ，则 二极管加正向电压，即 U 0，且 U UT ，则 电流I 与电压U 基本成指数关系。 – 50 I / mA U / V 0.2 0.4 – 25 5 10 15 –0.01 –0.02 0 2、击穿特性 击穿---反向电压大到一定数值时，反向电流会突然快速增大。 电击穿可逆 热击穿不可逆 应用：稳压管 – 0.02 – 0.04 0 –25 –50 I / mA U / V IZ VDZ R UO IO + IR UI + RL 应用:温度补偿二极管 结电容Cj Cj=CD+CB 应用：变容二极管 五、二极管电路的分析 图解分析法 简化模型分析法 二极管的模型 理想模型 （√） 恒压降模型（