第1章电路和电路元件15551.ppt

1.1.3 电压、电流及其参考方向 2. 参考方向 ▲电流参考方向标注形式： 电位、电压及其参考方向 ▲电压参考方向标注形式： 第1章 上页 返回 下页 1.4.5 发光二极管和光电二极管 1.发光二极管（LED，Light Emitting Diode） ＋ D - U 特征：单向导电性 工作电流：几至几十毫安 工作电压：1.5 ~ 3V 用途：信号灯指示 数字和字符指示 光电转换 第1章 上页 返回 下页 2.光电二极管/光敏二极管 ＋ D - U 工作在反向偏置状态 用途：测光元件 光电转换 反向电流随光照强度 的增加而上升 I V 照度增加 1.5 双极晶体管 1.5.1 基本结构和电流放大作用 1.5.2 特性曲线和主要参数 1.5.3 简化的小信号模型 第1章 上页 下页 返回 1.5.1 基本结构和电流放大作用 NPN型 PNP型 C P N N N P P E E B B 发射区 集电区 基区 基区 基极 发射极 集电结 发射结 发射结 集电结 集电区 发射区 集电极 集电极 C 发射极 基极 B E T C NPN B E T C PNP 第1章 上页 下页 返回 晶体管的电流放大原理 IE IB RB UBB IC UCC 输入电路 输出电路 公共端 晶体管具有电流放大作用的外 部条件： 发射结正向偏置 集电结反向偏置 NPN 管： UBE0 UBC0 RC B C E 共发射极放大电路 第1章 上页 下页 返回 三极管的电流控制原理 UBB RB IB IC UCC RC N P IE N 发射区向基区扩散电子 电源负极向发射区补充电子形成发射极电流IE 电子在基区的扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成IC EB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IB 第1章 上页 下页 返回 由上所述可知: 由于基区很薄且掺杂浓度小,电子在基区扩散的数量远远大于复合的数量。即： ICIB 或 △IC△IB 第1章 上页 下页 返回 晶体管起电流放大作用，必须满足发射结正偏，集电结反偏的条件。 3 当基极电路由于外加电压或电阻改变而引起IB的微小变化时，必定使IC发生较大的变化。即三极管的基极电流对集电极电流具有控制作用。 1.5.2 特性曲线和主要参数 1.输入特性曲线 IB = f (UBE ) UC E = 常数 UCE≥1V 第1章 上页 下页 返回 IE IB RB UB IC UCC RC ＋ - - ＋ UBE UCE UBE /V IB/ μA O O 2.晶体管输出特性曲线 IC = f (UCE ) | IB = 常数 IB 减小 IB增加 UCE IC IB = 20μA IB =60μA IB =40μA 第1章 上页 下页 返回 IE IB RB UB IC UCC RC ＋ - - ＋ UBE UCE 晶体管输出特性曲线分三个工作区 UCE /V IC / mA 80 60 40 0 IB= 20 μA O 2 4 6 8 1 2 3 4 截止区 饱和区 放大区 第1章 上页 下页 返回 晶体管三个工作区的特点: 截止区: 饱和区: 发射结正偏,集电结反偏 有电流放大作用, IC=βIB 输出曲线具有恒流特性 发射结、集电结处于反偏 失去电流放大作用, IC≈0 晶体管C、E之间相当于开路 发射结、集电结处于正偏 失去放大作用 晶体管C、E之间相当于短路 第1章 上页 下页 返回 C E UCE≈0 IC≈0 C E 放大区 放大区 3.主要参数 集电极基极间反向饱和电流 ICBO 集电极发射极间穿透电流 ICEO ICEO=(1+β)ICBO 交流电流放大系数β=△IC / △IB 第1章 上页 下页 直流电流放大系数β=IC / IB 电流放大系数 极间反向饱和电流 返回 ICEO C B E μA μA ICBO C E B 集电极最大允许电流 ICM 集-射反向击穿电压 U(BR)CEO 集电极最大允许耗散功率 PCM 过压区 过流区 安全工作区 过损区 PCM=ICUCE UCE/V U(BR)CEO IC/mA ICM O 使用时不允许超 过这些极限参数. 第1章 上页 下页 极限参数 返回 1.5.3 简化的小信号模型 三极管工作在放大状态时可用电路模型来表征它的特性。 建立简化小信号模型的条件： 1）三极管工作在放大状态; 2) 输入信号非常小（一般μA数量级） 上页 下页 第1章 返回 rbe = 200Ω+ （1+β）———— 26（mv） IE（mA） 三极管微变等效模型的建立步骤： iB 0 uBE Uce