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电性能参数介绍 电参数介绍 Uoc:开路电压 Isc：短路电流 Rs：串联电阻 Rsh：并联电阻 FF：填充因子 Pmpp：最大功率 Umpp：最大功率点电压 Impp：最大功率点电流 Irev1：反向电流1(-10V) Irev2：反向电流2(-12V) Ncell：转换效率 Rs = dU/(Isc1-Isc2) 欧姆特性和二极管特性 各个参数之间的关系 在所有参数中，只有电压和电流是测量值，其他参数均是计算值。 Pmpp为在I-V曲线上找一点，使该点的电压乘以电流所得最大，该点对应的电压就是最大功率点电压Umpp，该点对应得电流就是最大功率点电流Impp Rs为在光强为1000W/M2和500W/M2下所得最大功率点的电压差与电流差的比值，只是一个计算值，所以有时候会出现负值的情况 Rsh为暗电流曲线下接近电流为0时曲线的斜率 Irev1为电压为-10V时的反向电流 Irev2为电压为-12V时的反向电流 Rs和Rsh决定FF Rsh和Irev1、 Irev2有对应的关系 计算公式： Ncell= Pmpp/S（硅片面积） Pmpp= Umpp*Impp= Uoc*Isc*FF FF=（Umpp*Impp）/（Uoc*Isc） 转换效率的影响因素 测试外部参数影响 正常测试温度为25±2℃，随着温度的升高，开路电压急剧降低，短路电流略微增大，整体转换效率降低 正常光强为1000±50W/M2，随着光强的降低，开路电压略微降低，短路电流急剧下降，整体转换效率降低 串阻Rs组成 测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成： 1.材料体电阻（可以认为电阻率为ρ的均匀掺杂半导体） 2.正面电极金属栅线体电阻 3.正面扩散层电阻 4.背面电极金属层电阻 5.正背面金属半导体接触电阻 6.外部因素影响，如探针和片子的接触等 烧结的关键就是欧姆接触电阻，也就是金属浆料与半导体材料接触处的电阻。 可以这样考虑，上述1.2.3.4项电阻属于固定电阻，也就是基本电阻； 5则是变量电阻烧结效果的好坏直接影响Rs的最终值； 6属于外部测试因素，也会导致Rs变化 Rs影响因素 探针脏 探针寿命到期 是 是 是 是 并阻Rsh组成 测试中并联电阻Rsh主要是由暗电流曲线推算出，主要由边缘漏电和体内漏电决定 边缘漏电主要由以下几个方面决定： ①边缘刻蚀不彻底 ②硅片边缘污染 ③边缘过刻 体内漏电主要几个方面决定 ①方阻和烧结的不匹配导致的烧穿 ②由于铝粉的沾污导致的烧穿 ③片源本身金属杂质含量过高导致的体内漏电 ④工艺过程中的其他污染，如工作台板污染、网带污染、炉管污染、DI水质不合格等 Rsh影响因素 Uoc影响因素 Isc影响因素 网印区工艺过程常见问题处理 一、翘曲： 1.硅片太薄 ——控制原始硅片厚度 2.印刷铝浆太厚 ——控制铝浆重量 3.烧结温度过高 ——调整烧结炉4、5、6、7区温度 4.烧结炉冷却区冷却效果不好 ——查看风扇状况、进出水温度压力等 二、铝包： 1.烧结温度太高 ——调整烧结炉4、5、6、7区温度 2.印刷铝浆太薄 ——印刷铝浆重量加重 3.使用前浆料搅拌不充分 ——搅拌时间必须达到规定时间 4.铝浆印刷后烘干时间不够 ——增加烘干时间或提高烘干温度 5.烧结排风太小 ——增大烧结炉排风 6.烧结炉冷却区冷却效果不好