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第2章 电力电子器件 2.1 电力电子器件概述 2.2 不可控器件——电力二极管 2.3 半控型器件——晶闸管 2.4 典型全控型器件 2.5 其他新型电力电子器件 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 本章小结 ;引言;2.1 电力电子器件概述 ;2.1.1 电力电子器件的概念和特征;2.1.1 电力电子器件的概念和特征;2.1.1 电力电子器件的概念和特征;2.1.2 应用电力电子器件的系统组成;2.1.3 电力电子器件的分类;2.1.3 电力电子器件的分类;2.1.3 电力电子器件的分类;2.1.4 本章内容和学习要点;2.2 不可控器件——电力二极管;2.2 不可控器件——电力二极管·引言;A;2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理;2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理;2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理;2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理;2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理;2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理;2.2.2 电力二极管的基本特性;;;2.2.2 电力二极管的基本特性;2.2.3 电力二极管的主要参数;2.2.3 电力二极管的主要参数;2.2.4 电力二极管的主要类型;2.2.4 电力二极管的主要类型;2.2.4 电力二极管的主要类型;2.3 半控型器件——晶闸管;2.3 半控器件—晶闸管·引言;2.3.1 晶闸管的结构与工作原理;2.3.1 晶闸管的结构与工作原理;2.3.1 晶闸管的结构与工作原理;2.3.1 晶闸管的结构与工作原理;2.3.2 晶闸管的基本特性;2.3.2 晶闸管的基本特性;2.3.2 晶闸管的基本特性;2.3.2 晶闸管的基本特性;2.3.2 晶闸管的基本特性;2.3.3 晶闸管的主要参数;2.3.3 晶闸管的主要参数;2.3.3 晶闸管的主要参数;2.3.3 晶闸管的主要参数;2.3.4 晶闸管的派生器件;2.3.4 晶闸管的派生器件;2.3.4 晶闸管的派生器件;2.3.4 晶闸管的派生器件;2.4 典型全控型器件;2.4 典型全控型器件·引言;2.4.1 门极可关断晶闸管;2.4.1 门极可关断晶闸管;2.4.1 门极可关断晶闸管;2.4.1 门极可关断晶闸管;2.4.1 门极可关断晶闸管;2.4.2 电力晶体管;◆ GTR的结构 ?采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构，并采用集 成电路工艺将许多这种单元并联而成。 ? GTR是由三层半导体（分别引出集电极、基极和发射极）形成 的两个PN结（集电结和发射结）构成，多采用NPN结构。 ;2.4.2 电力晶体管;2.4.2 电力晶体管;;2.4.2 电力晶体管;2.4.2 电力晶体管;2.4.2 电力晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;■电力MOSFET的基本特性 ◆静态特性 ?转移特性 √指漏极电流ID和栅源间电压 UGS的关系，反映了输入电压和输 出电流的关系 。 √ID较大时，ID与UGS的关系近似 线性，曲线的斜率被定义为 MOSFET的跨导Gfs，即 ;2.4.3 电力场效应晶体管;;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.4 绝缘栅双极晶体管;2.4.4 绝缘栅双极晶体管;2.4.4 绝缘栅双极晶体管;2.4.4 绝缘栅双极晶体管;2.4.4 绝缘栅双极晶体管;2.4.4 绝缘栅双极晶体管;2.4.4 绝缘栅双极晶体管;2.4.4 绝缘栅双极晶体管;2.4.4 绝缘栅双极晶体管;2.4.4 绝缘栅双极晶体管;2.4.4 绝缘栅双极晶体管;2.4.4 绝缘栅双极晶体管;; 图 是采用光电耦合器件隔离的驱动电路。 输入控制信号是通过光电耦合器引入； 然后经过MOS管放大； 再经过V1和V2组成的推挽电路向IGBT提供正反向驱动电流。 从电路图中可见此驱动电路是由分立元件组成的，与其对应的就是集成模块驱动电路。;集成模块驱动电路;EXB841：放大、过电流保护、5V基准电源。 放大部分 由光电耦合器Ｂ、晶体管V2、V4、V5和阻容元件R1、C1、R2、R9组成。Ｂ起隔离作用， V2（中级）放大， V4、V5互补式输出。 过电流保护部分 是由晶体管V1、V3、稳