第2章 材料的电学.ppt

1 2 3 4 5 P＝4.5eV R=8.5eV 5.5eV Q=6.5eV Kx [10] Ky [01] 图8 二维正方晶格第一布里渊区等能线 E-K dE/dK小 dK大 ——波矢k离布氏区边界越远，等能线接近圆形，行为越与自由电子相似。因为 k自=nπ/L nπ/a (k准)，周期势场对它们的运动没有影响。 ——当波矢k接近布氏区边界，等能线向外凸出，因为受周期势影响 ，dE/dk比自由电子小（E-k曲线斜率），因而在这个方向，从一条等能线到另一条等能线的k变化大。 ——布里渊区边界出现能隙，故等能线无法跨越。 ——布里渊1区与布里渊2区能带可以分立，也可能交叠，取决于带隙和晶向。 图9 三维正方晶格第一布里渊区等能线 E-K 2.2.4 准自由电子近似的态密度 Z(E) O O Z(E) Z(E) E E A B EF (a) 准自由电子近似态密度 （虚线为自由电子态密度） (b) 交叠能带态密度 A B 2.2.5 固体能带与原子能级的关系 孤立电子的电子能级是分立和狭窄的。 当两个原子靠近时，其电子波函数相互重叠。由于不同原子的电子之间，不同电子与原子核之间的相互作用，原先孤立原子的单一电子能级会分裂为两个不同能量的能级。能级的分裂随着原子间距的减小而增加。 同样，如果N个原子相互靠近，单一电子能级会分裂为 N个新能级，当这样的能级很多，达到晶体包含的原子数目时，高密度的能级在能量坐标上形成 能带＝允带＋禁带 价电子和内层电子。 E (a) 2个原子靠近时能级分裂 (b) 5个原子靠近时能级分裂 (c) Na晶体中原子能级分裂成准连续的能带 (a) (b) a r (c) 原子能级与能带的对应 —— 一个原子能级?i对应一个能带，不同的原子能级对应不同的能带。当原子形成固体后，形成了一系列能带 —— 能量较低的能级对应的能带较窄 —— 能量较高的能级对应的能带较宽 —— 简单情况下，原子能级和能带之间有简单的对应关系，如ns带、np带、nd带等等； —— 由于p态是三重简并的，对应的能带发生相互交叠，d态等一些态也有类似能带交叠； 2.2.6 能带结构理论的应用 1）空带、满带和不满带 空带：电子态（轨道）是空的允带，无电子填充。 满带：电子态是满的允带，全部被电子填充。 不满带：电子态部分被电子占据（填充）满的允带。 晶体是否具有导电性，取决于它是否具有不满带，存在不满带是导电性的前提。为什么？ 导电性：k空间电场方向有净电流。 （1）满带不导电 满带的量子态（轨道）全部充满，施加电场后，不改变电子在布里渊区的对称分布，+k态和-k态的电子同时加速，速度相等但方向相反，故完全抵消，k空间无无净电流。 （2）不满带导电 由于不满带有部分轨道未充满，施加电场后，改变了电子在布里渊区（k空间）的对称分布，费米球沿外加电场方向（设在+k方向）平移， +k态和-k态的电子同时加速，但+k态比-k态电子多，＋k方向有净电流，故产生导电。 举例：某排座位：满座（满带）和不满座（不满带） 2） 价带、导带 价带（Valence Band）：原子中最外层的电子称为价电子，与价电子能级相对应的能带称为价带。能量比价带低的各能带一般都是满带。 导带（Conduction Band）：价带以上能量最低的允许带称为导带。 导带的底能级表示为Ec，价带的顶能级表示为Ev，Ec与Ev之间的能量间隔称为禁带Eg。 E 0 - EC EV E1 E2 EC EV Eg E 3） 金属、半导体、绝缘体 金 属： ρv 10-4 Ω.cm 半导体：ρv = 10-3 ~ 109 Ω.cm 绝缘体： ρv 1010Ω.cm E 0 k 0 0 图10 电子填充能带情况的示意图 (a) 金属 (b) 半导体 (c) 绝缘体 Eg Eg Eg 金 属： 被电子填充的最高能带是不满的，而且该能带（导带）的电子密度很高，和原子密度具有相同的数量级，因此，金属有良好的导电性。 半导体 ：价带是满带，而导带是空带，中间是禁带。由于没有不满带，故不能导电。但是，禁带窄，在一定温度下，电子容易从满带（费米能级）激发到空导带，形成不满带，具有一定的导电性。在半导体中，随温度升高，从价带进入导带的电子数剧增，故半导体的电导率对温度极其敏感。