硅单粒子位移损伤多尺度模拟研究唐杜贺朝会臧航李永宏熊-物理学报.PDF

硅单粒子位移损伤多尺度模拟研究 唐杜 贺朝会 臧航 李永宏 熊涔 张晋新 张鹏 谭鹏康 Multi-scalesimulationsofsingleparticledisplacementdamage in silicon Tang Du He Chao-Hui Zang Hang Li Yong-Hong Xiong Cen Zhang Jin-Xin Zhang Peng Tan Peng-Kang 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,084209(2016) DOI: 10.7498/aps.65.084209 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.084209 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I8 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 基于4 晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究 Total ionizing dose radiation effects in foue-transistor complementary metal oxide semiconductor image sensors 物理学报.2016,65(2): 024212 /10.7498/aps.65.024212 质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析 Effectsofprotonandneutronirradiationondarksignalof CCD 物理学报.2015,64(19): 194208 /10.7498/aps.64.194208 InGaAs/InP 量子阱与体材料的1MeV 电子束辐照光致发光谱研究 Photoluminescencespectraof1MeVelectronbeamirradiatedInGaAs/InPquantumwellandbulk materials 物理学报.2015,64(15): 154217 /10.7498/aps.64.154217 电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析 ParticletransportsimulationandeffectanalysisofCCD irradiated by protons 物理学报.2015,64(11): 114214 /10.7498/aps.64.114214 质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究 Darksignaldegradationinproton-irradiatedcomplementarymetaloxidesemiconductoractivepixelsensor 物理学报.2015,64(8): 084209 /10.7498/aps.64.084209 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 8 (2016) 084209 硅单粒子位移损伤多尺度模拟研究 唐杜 贺朝会 臧航 李永宏 熊涔 张晋新 张鹏 谭鹏康 (西安交通大学核科学与技术学院, 西安 710049) ( 2015 年9 月1 日收到; 2015 年12 月27 日收到修改稿) 本文结合分子动力学方法和动力学蒙特卡罗方法, 研究了单个粒子入射硅引起的位移损伤缺陷的产生和 演化过程; 基于Shockley-Read-Hall 理论计算了单个粒子入射引起的位移损伤缺陷导致的泄漏电流增加及其 演化过程, 比较了缺陷退火因子与泄漏电流退火因子之间的差异, 并将计算结果与实验值进行了对比. 结果 表明, 计算泄漏电流时, 仅考虑一种缺陷的情况下缺陷退火因子与泄漏电流退火因子相同, 考虑两种缺陷类型 情况下二者在数值上有所区别, 但缺陷退火因子仍能在一定程度上反映泄漏电流的退火行为. 分子动力学模 拟中采用Stillinger-Weber 势函数和Tersoff 势函数时缺陷退火因子和泄漏电流退火因子与实验结果一致, 基 于Stillinger-Weber 势函数的计算结果与实验值更为接近. 关键词: 位移损伤, 缺陷, 退火因子, 泄漏电流