过渡金属掺杂p型半导体CaFe2O4的制备和性质研究-材料物理与化学专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 分类号： 密级： 公开 U D C： 编号： 201221801001 河北工业大学硕士学位论文 过渡金属掺杂 p 型半导体 CaFe2O4 的制备和性 质研究 论 文 作 者： 孙会杰 学 生 类 别： 全日制 学 科 门 类： 工学 学 科 专 业： 材料物理与化学 指 导 教 师： 孟凡斌 职 称： 研究员 资助基金项目：国家自然科学基金. No.Dissertation Submitted to Hebei University of Technology for The Master Degree of Materials Physics and Chemistry THE RESEARCH OF THE PREPARATION AND PROPERTIES OF p-TYPE SEMICONDUCTOR CaFe2O4 DOPING WITH TRANSITION METAL by Sun Huijie Supervisor: Prof. Meng Fanbin May 2015 This work supported by the National Natural Science Foundation of China. No.摘 要 随着社会的不断发展，铁氧体材料的应用领域越来越广泛，可以用于光催化材料、 吸波材料、太阳能转换材料以及电极材料等。铁氧体材料大多是四方结构的 n 型半导 体或者绝缘体，但 CaFe2O4 是具有斜方的晶体结构的 p 型半导体，并且 Ca2+和 Fe3+都 很容易被其他金属离子替代，从而导致 CaFe2O4 的电磁输运性质发生变化。 本论文采用溶胶凝胶法制备了过渡金属元素 Zn 和 Cr 掺杂 p 型半导体 CaFe2O4 粉 末，并对 Ca1-xZnxFe2O4 和 CaCrxFe2-xO4 的结构及电磁输运性质进行了研究，主要内容 如下： 实验采用凝胶溶胶法以柠檬酸为络合物制备了 Ca1-xZnxFe2O4 的反应前驱体，然后 在空气中 1000 ℃烧结 3 小时，即可得到粉末样品。X 射线衍射结果表明当 x = 0.05 时，已经出现了第二相 ZnFe2O4，这说明 Zn 在 CaFe2O4 晶格中的掺杂浓度很低。 实验采用凝胶溶胶法在不同烧结温度条件下制备了不同掺杂浓度的 CaCrxFe2-xO4 的粉末。X 射线衍射结果表明，当烧结温度低于 1000 ℃时，反应不完全，所生成的 产物为 CaCrO3 和 CaFe2O4 的混合相。当退火温度达到 1000 ℃时，烧结 2 小时即可得 到纯的 CaCrxFe2-xO4 粉末。同时 ， X 射线 衍射 结果 表明采 用溶 胶凝 胶法制 备的 CaCrxFe2-xO4 材料，当 Cr 的掺杂浓度达到 70%时，X 射线衍射图谱中仍然没有出现杂 质峰，说明随着 Cr 元素含量增加，材料的晶格结构没有改变，晶胞体积随着 Cr 含量 的增加逐渐减小。磁性测量结果表明，未掺杂的 CaFe2O4 粉末具有反铁磁特性，Neel 温度为 180 K，随着 Cr 含量的增加 CaCrxFe2-xO4 粉末仍然表现出反铁磁特性，Neel 温 度逐渐减小。荧光光谱测量结果表明，溶胶凝胶法制备的未掺杂的 CaFe2O4 粉末在 750 nm 左右出现了发光的峰，表明其光学带隙约为 1.65 eV。 此外，我们还根据实验得到的 CaFe2O4 的晶格参数采用 VASP 软件计算了 CaFe2O4 的电子结构，第一性原理计算结果表明，与非磁性和铁磁性相比 CaFe2O4 表现为反铁 磁性时总能最低最稳定。能带结构表明 CaFe2O4 价带主要是由 Fe 的 3d 和 O 的 2p 相 互作用而成，带隙为 1.63 eV，与荧光光谱测量结果相似。计算得到的 Fe3+在 CaFe2O4 材料中以反铁磁排列时的磁矩为 4.26 μB/Fe，与已经报道的穆斯堡尔谱测量结果一致。 关键词： CaFe2O4 反铁磁 第一性原理计算 I II ABSTRACT With the continuous development of society, the field of the application of ferrite materials is more and more widely. Ferrite materials are mostly four directions of the structure of the n type semiconductor or insulator, But CaFe2O4 is rhombic crystal structu