硅纳米结构阵列的制备及其光电化学性能研究-微电子学与固体电子学专业论文.docx

大连理工大学学位论文独创性声明作者郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下进行研究工作所取得的 大连理工大学学位论文独创性声明 作者郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下进行研究工作所取得的 成果。尽我所知，除文中已经注明引用内容和致谢的地方外，本论文不包含其他个人或 集体己经发表的研究成果，也不包含其他已申请学位或其他用途使用过的成果。与我一 同工作的同志对本研究所做的贡献均己在论文中做了明确的说明并表示了谢意。 若有不实之处，本人愿意承担相关法律责任。 学位论文题目：塾!监叁篷监隍型煎墼垒公美茎迎豳鳖：l墅整叠盈 作者签名： 丢垒玉 日期：2Q!晕年—生月—L曰 大连理工大学学位论文版权使用授权书 本人完全了解学校有关学位论文知识产权的规定，在校攻读学位期间论文工作的知 识产权属于大连理工大学，允许论文被查阅和借阅。学校有权保留论文并向国家有关部 门或机构送交论文的复印件和电子版，可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数 据库进行检索，可以采用影印、缩印、或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。 学位论文题目：盟【鱼基篷扭煎到鱼鱼割盔迭盗．，监：过堂挫盘皂窈盔， 作者签名： 至叁量 日期： 塑!竖年jL月』L日 导师签名 答辩委员会主 日期：量叫正年卫月工日 万方数据 大连理工大学博士学位论文摘 大连理工大学博士学位论文 摘 要 氢能被普遍认为是一种最为理想的绿色清洁能源，自从Fujishima和Honda第一次 发现Ti02半导体光电极具有分解水制氢的功能以来，利用可再生的太阳能通过光电化 学分解水制氢就受到人们的广泛关注。硅纳米结构阵列具有减反射特性，可以提高电极 对光的吸收效率。另外，由于硅纳米结构阵列拥有较大的比表面积，有助于载流子的传 导，从而提高了光电化学分解水的效率。这些使得一维硅纳米结构阵列一直是光电化学 领域的研究热点。 本论文分别制备出几种硅纳米结构阵列，并通过对硅纳米结构进行表面修饰，制备 了Pt／SiNW阵列和有序Pt／SiNH阵列以及Si／ZnO核壳纳米线阵列。研究了其生长条件、 形貌、微观结构和光电化学分解水性能，主要内容包括以下几部分： (1)采用金属辅助化学刻蚀法成功地制备出SiNW阵列，并利用无电金属沉积法在 SiNW阵列上沉积金属Pt。利用SEM、TEM和HRTEM等手段分别对所制备的样品进 行了结构、形貌以及光学性能的表征。系统地研究了Pt／SiNW阵列作为光电极的光电化 学特性。实验表明，我们制备出了排列规整、取向一致的SiNW阵列，其直径分布在 30—200rim之间。SiNW的长度可通过控制刻蚀时间进行准确的控制。与SiNW光电极相 比，修饰Pt后的Pt／SiNW光电极的开启电压发生了正移，这说明修饰Pt后光电化学分 解水制氢性能提高。另外，发现随着沉积Pt纳米颗粒数量的增加，限制光电流密度减 小。最后，我们证明当SiNW的长度小于49m时，随着SiNW长度的增加，Pt／SiNW光 电极的限制光电流密度增大。SiNW长度为49m的Pt／SiNW光电极的限制光电流密度最 大。当SiNW的长度大于49m时，随着SiNW长度的增加，Pt／SiNW光电极的限制光电 流密度逐渐减小，并分析了原因。 (2)利用金属辅助化学刻蚀法制备SiNW阵列，并且成功地利用ALD技术在硅纳米 线上沉积ZnO层，制备出Si／ZnO核壳纳米线阵列。利用XRD、SEM和TEM等手段对 所制备的Si／ZnO核壳纳米线阵列进行结构和形貌表征。然后研究了Si／ZnO核壳纳米线 阵列的光电化学分解水性能。与平面Si／ZnO异质结结构相比，Si／ZnO核壳纳米线阵列 收获更高的光电流密度，这是由于核壳结构具有低反射率和大的表面面积。研究Si／ZnO 核壳纳米线的长度和ZnO外壳的厚度对光电化学分解水性能的影响。发现随着Si／ZnO 核壳纳米线长度的增加，光电流密度增加，这是由于长的Si／ZnO核壳纳米线阵列比短 的Si／ZnO核壳纳米线阵列具有更大的表面面积；发现ZnO外壳层厚度太大反而会对 Si／ZnO核壳纳米线阵列的光电化学分解水性能造成不利的影响。 万方数据 硅纳米结构阵列的制备及其光电化学性能研究(3)首次利用单层PS球模板与金属辅助化学刻蚀法相结合，制备出大面积有序SiNH 硅纳米结构阵列的制备及其光电化学性能研究 (3)首次利用单层PS球模板与金属辅助化学刻蚀法相结合，制备出大面积有序SiNH 阵列。实验表明所制备的大面积有序SiNH阵列的纳米孔与硅片基底相互垂直、排列规 整、取向一致。反射光谱显示有序SiNH阵列具有优良的减反射特性。在300．1000nm 波段之间，其表面反射率仅为3．5％，特别是在300．350nm波段之间，其表面反射率不 高于2．8％。通过实验条件可以控制纳米孔的直径