新员工TFT-LCD基础知识培训-凌博士科目讲解.ppt

左图：两偏光片垂直 右图：两偏光片平行 TFT位于扫描电极和信号电极的交叉点处，它的漏极和源极分别与信号电极和像素电极相连，栅极与扫描电极相连。 TFT-LCD单像素结构 TFT电路 TFT（薄膜晶体管）基本概念 + ve + ve + ve gnd source drain Conductive channel Current flow + ve + ve + ve gnd source drain Conductive channel Current flow TFT在LCD中起着传输和控制电信号的作用，即通过它确定施加在液晶层上的电压的大小 彩色滤色膜由红、绿、蓝三种颜色的光阻、黑矩阵，保护膜和ITO公共电极几部分组成 彩色滤光片（Color Filter=CF） LCD工作原理 液晶显示器件分类 液晶显示器 直视型 投影型 透射型（有背光源） 反射型（无背光源） 前投影型 背投影型 Array 制程与半导体制程相似，但不同的是将薄膜晶体管制作在玻璃基底上而非晶圆上； Cell 制程是将前段Array基板与彩色滤光片的玻璃基板贴合，并在两片玻璃基板间滴入液晶(LC) ； ?? 模组组装制程是将Cell制程后的面板与其它如背光单元、电路、外框等多种零组件组装的过程。 TFT-LCD制程 Color Filter Fabrication Process TFT Array Process Liquid Crystal Cell Process Module Assembly Process a-Si TFT array process – step 1 Deposit and pattern gate metal Functions: Gate of TFT Select lines Bottom electrode of storage capacitor Metal options: Ti/Al/Ti Al/Mo Cr Mo Ta C C Cross-section CC’ a-Si TFT array process – step 2 Deposition of SiN/a-Si/n+ by PECVD, patterning of a-Si SiN is gate dielectric and storage capacitor dielectric Selective etch of a-Si SiN is not etched C C SiN a-Si/n+ a-Si TFT array process – step 3 Deposition and patterning of source/drain metal Functions: Source and drain metal Data line metal Metal options Ti/Al/Ti or Ti/Al Cr Mo or Mo/Al Back etch of n+ a-Si from channel area C C a-Si TFT array process – step 4 Deposition and patterning of passivation SiN by PECVD Function: Passivate TFT C C a-Si TFT array process – step 5 Deposition and patterning of ITO Function: Pixel electrode Top electrode of storage capacitor C C ITO pixel electrode Cross - section C - C ’ Select line Data line Storage capacitor C C ITO pixel electrode Cross - section C - C ’ Select line Data line Storage capacitor a-Si TFT a-Si TFT array process Cell 制程 缩短制程时间 原料节省，无需封口胶 切割后可初步点亮，及时发现不良 ODF制程 ? 淡黃色 800~1200 ? PI涂布 配 向 絨 布 PI摩擦 LCD框胶及Ag胶涂布 喷衬垫 上下基板对位贴合 玻璃切割、裂片 加压脱泡 贴偏光片 液晶显示模块（LCM）是一种将液晶显示器件、连接件、集成电路、PCB、背光源、结构件装配在一起的组件。 连接件：导电橡胶、热压导电胶带、TAB(Tape Automated Bonding )； 集成电路：控制器、行和列驱动器等； PCB：