MoSi多层膜残余应力的研究-光学精密工程.PDFVIP

第 11卷 　第1期 光学 　精密工程 Vol . 11 　No . 1 　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　 2 0 0 3 年 2 月 Optics and Precision Engineering Feb . 　2 0 0 3 ( ) 文章编号 　1004924X 2003 0 1006206 Mo/ Si 多层膜残余应力的研究 向　鹏 , 金春水 ( 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 应用光学国家重点实验室 , 吉林 长春 130022) 摘要 :在极紫外光刻技术中 ,光学系统对多层膜光学元件表面面形精度有严格的要求 ,并且多层膜光学 元件需要较高的反射率 。由于多层膜中存在的内应力将改变光学元件的表面面形 , 因此在不减少反射 率的前提下 ,一定要减少或补偿多层膜内的残余应力 。论述了 Mo/ Si 多层膜应力产生的原因和几种减 少与补偿应力的技术 ,介绍应力的几种测量方法 。 关 　键 　词 :极紫外光刻 ;多层膜 ;残余应力 中图分类号 :O484 　　文献标识码 :A 的面形精度要达到深亚纳米级[5 ] 。一般情况下 , 1 　引　言 在多层膜反射镜光学基板上制备的多层膜内都存 在着残余应力 。这些残余应力是破坏光学基板的 　　目前 ,工业用极紫外投影光刻系统的设计中 原始面形加工精度的最主要原因。据测量 ,在未 普遍引入多块多层膜反射光学元件[ 1-2 ] : ( 1) 四块 施加任何控制的情况下 ,Mo/ Si 多层膜 内存在约 聚光镜 ,用于汇集光源的极紫外辐射 , 并照射掩 - 500 Mp a 的压应力 。因此 ,把多层膜的残余应 模 ; (2) 镀有多层膜的反射式掩模 ; (3) 由四块或六 力控制到允许的范围内是十分重要的。 块多层膜反射镜组成的微缩投影光学系统 。极紫 本文将以Mo/ Si 多层膜为主 ,介绍多层膜残 外投影光刻系统采用的是中心波长为 13 . 0 nm 余应力产生的原因以及在不影响反射率的前提下 的多层膜 。这种膜通常由 Mo 、Si 材料交替镀制 其控制技术和测量技术的发展现状 ,提出近期研 而成 ,类似于 1/ 4 波堆结构 。各个 Mo 、Si 单层膜 究工作的设想 。 厚度是根据两个条件来确定[3 ] : ( 1) 使反射光干 涉最强 ; ( 2 ) 对光 的吸收最小 。在 中心波长为 2 　多层膜残余应力产生的原因 13 0 nm 的 Mo/ Si 多层膜 中 , 周期膜厚为 6 9 nm ,Mo 层厚 2 . 8 nm ,Si 层厚 4 . 1 nm 。 　　薄膜的形成过程分为四个基本阶段[6 ] : ( 1) 为了确保极紫外光刻系统有足够高的光学传 岛状阶段 ; (2) 聚结阶段 ; (3) 沟渠阶段 ; (4) 连续阶 输效率 ,一个重要指标是要求其多层膜反射镜应 段 。在成膜的初始阶段 , 当薄膜仅含有一些孤立 具有尽可能高的正入射反射率 。近几年来 ,人们 的岛时 ,它们几乎是完善的晶粒 ;随着薄膜的进一 经过不懈努力 , 已经可以把 Mo/ Si 多层膜反射率 ( ) 步生长 ,这些岛彼此接触 聚结阶段 ,晶界和晶格 做到接近 70 %[4 ] 。这完全可以满足极紫外投影