气体传感器讲解.ppt

8.4.2 半导体气体传感器 由于空气中的含氧量大体上是恒定的， 因此氧的吸附量也是恒定的，器件阻值也相对固定。 若气体浓度发生变化，其阻值也将变化。根据这一特性，可以从阻值的变化得知吸附气体的种类和浓度。 半导体气敏时间(响应时间)一般不超过1min。 N型材料有SnO2、ZnO、TiO等，P型材料有MoO2、CrO3等。 1. 半导体气敏元件的特性参数 （1）气敏元件的电阻值 将电阻型气敏元件在常温下洁净空气中的电阻值，称为气敏元件(电阻型)的固有电阻值，表示为Ｒａ。 一般其固有电阻值在(103～105)Ω范围。 测定电阻型气敏元件的电阻值，必须在洁净空气中进行。 洁净空气的定义教材中8-6表给出详细说明。 （2）气敏元件的灵敏度 表征气敏元件对于被测气体的敏感程度的指标。 它表示气体敏感元件的电参量（如电阻型气敏元件的电阻值）与被测气体浓度之间的依从关系。 表示方法有三种： （a）电阻比灵敏度K （b）气体分离度? （c）输出电压比灵敏度KV （3）气敏元件的分辨率 表示气敏元件对被测气体的识别（选择）以及对干扰气体的抑制能力。 气敏元件分辨率S表示为: Va—气敏元件在洁净空气中工作时，负载电阻上的输出电压； Vg—气敏元件在规定浓度被测气体中工作时，负载电阻上的电压； Vgi—气敏元件在i种气体浓度为规定值中工作时,负载电阻的电压； （4）气敏元件的响应时间 表示在工作温度下，气敏元件对被测气体的响应速度。 一般从气敏元件与一定浓度的被测气体接触时开始计时，直到气敏元件的阻值达到在此浓度下的稳定电阻值的63％时为止，所需时间称为气敏元件在此浓度下的被测气体中的响应时间，通常用符号tr表示。 （5）气敏元件的恢复时间 表示在工作温度下，被测气体由该元件上解吸的速度，一般从气敏元件脱离被测气体时开始计时，直到其阻值恢复到在洁净空气中阻值的63％时所需时间。 （6）初期稳定时间 长期在非工作状态下存放的气敏元件，因表面吸附空气中的水分或者其他气体，导致其表面状态的变化，在加上电负荷后，随着元件温度的升高，发生解吸现象。 因此，使气敏元件恢复正常工作状态，需要一定的时间，称为气敏元件的初期稳定时间。 （7）气敏元件的加热电阻和加热功率 气敏元件一般工作在200℃以上高温。 为气敏元件提供必要工作温度的加热电路的电阻(指加热器的电阻值)称为加热电阻，用RH表示。 直热式的加热电阻值一般小于5Ω； 旁热式的加热电阻大于20Ω。 气敏元件正常工作所需的加热电路功率，称为加热功率，用PH表示。一般在(0.5～2.0)W范围。 2. 烧结型SnO2气敏元件 SnO2系列气敏元件有烧结型、薄膜型和厚膜型三种。 烧结型应用最广泛性。 根据加热方式分为： 直接加热式 旁热式 2. 烧结型SnO2气敏元件 图5 气敏半导体传感器的器件结构 (a) 烧结型气敏器件； (b) 薄膜型器件； (c) 厚膜型器件 2. 烧结型SnO2气敏元件 图5 气敏半导体传感器的器件结构 (a) 烧结型气敏器件； (b) 薄膜型器件； (c) 厚膜型器件 2. 烧结型SnO2气敏元件 图5(a)为烧结型气敏器件。 这类器件以SnO2半导体材料为基体，将铂电极和加热丝埋入SnO2材料中，用加热、加压、温度为700~900℃的制陶工艺烧结成形。因此，被称为半导体陶瓷，简称半导瓷。 半导瓷内的晶粒直径为1μm左右，晶粒的大小对电阻有一定影响，但对气体检测灵敏度则无很大的影响。 烧结型器件制作方法简单，器件寿命长；但由于烧结不充分，器件机械强度不高，电极材料较贵重，电性能一致性较差，因此应用受到一定限制。 2. 烧结型SnO2气敏元件 图5(b)为薄膜型器件。 它采用蒸发或溅射工艺，在石英基片上形成氧化物半导体薄膜（其厚度约在100nm以下），制作方法也很简单。 实验证明，SnO2半导体薄膜的气敏特性最好， 但这种半导体薄膜为物理性附着，因此器件间性能差异较大。 2. 烧结型SnO2气敏元件 图5(c)为厚膜型器件。 这种器件是将氧化物半导体材料与硅凝胶混合制成能印刷的厚膜胶，再把厚膜胶印刷到装有电极的绝缘基片上，经烧结制成的。 由于这种工艺制成的元件机械强度高，离散度小，适合大批量生产。 2. 烧结型SnO2气敏元件 这些器件全部附有加热器，它的作用是将附着在敏感元件表面上的尘埃、油雾等烧掉，加速气体的吸附，从而提高器件的灵敏度和响应速度。 加热器的温度一般控制在200~400℃左右。 由于加热方式一般有直热式和旁热式两种，因而形成了直热式和旁热式气敏元件。 2. 烧结型SnO2气敏元件 直热式气敏器件的结构及符号如图6所示。 直热式器件是将加热丝、测量丝直接埋入SnO2或ZnO等粉末中烧结而成的，工作时加热丝通电，测量丝用