第4章根轨迹法 （2）.pptVIP

第4章 根轨迹法 4.1 根轨迹的基本概念 4.1.1 根轨迹的定义 系统参数（如开环增益K *）由零增加到∞时，闭环特征根在S平面移动的轨迹称为该系统的闭环根轨迹。 4.1.2 根轨迹方程 既然根轨迹是闭环特征根随参数变化的轨迹，则描述其变化关系的闭环特征方程就是根轨迹方程。 则根轨迹方程（系统闭环特征方程）为： 相角条件： 幅值条件 几点说明： ①开环零点zi、极点pj是决定闭环根轨迹的条件。 ②注意到式(4.3)定义的相角方程不含有K*，它表明满足式(4.4)的任意K*值均满足由相角方程定义的根轨迹，因此，相角方程是决定闭环根轨迹的充分必要条件。 ③满足相角方程的闭环极点s值，代入幅值方程式(4.4)，就可以求出对应的K*值，显然一个K*对应n个s值，满足幅值方程的s值不一定满足相角方程。因此由幅值方程（及其变化式）求出的s值不一定是根轨迹上的根。 ④任意特征方程D(s)=0均可处理成1+G(s)H(s)=0的形式，其中把G(s)H(s)写成式(4.4)描述的形式就可以得到K*值，所以说K*可以是系统任意参数。以其他参数为自变量作出的根轨迹称广义根轨迹。 4.2 绘制根轨迹的规则和方法 4.2.1 绘制根轨迹图的规则和方法 绘制控制系统根轨迹的一般规则和方法如下： ①根据给定控制系统的特征方程，按照基本规则求系统的等效开环传递函数Gk(s)，并将其写成零、极点的规范形式（如式(4.1)所示），以此作为绘制根轨迹的依据； ②找出S平面上所有满足相角条件式(4.3)的点，将它们连接起来即为系统的根轨迹； ③根据需要，可用幅值条件式(4.4)确定根轨迹上某些点的开环根轨迹增益值。绘制根轨迹的方法一般有：解析法、计算机绘制法以及试探法。 （1） 概略绘制根轨迹图的规则 表4.1列出了概略绘制根轨迹的基本规则（假定系统的开环传递函数由式(4.1)确定）。 （2） 较为准确地绘制根轨迹图的规则 表4.2给出了一些典型的图形。图中用“×”、“0”代表开环系统的极点和零点。 规则6 根轨迹的渐近线。 续表 规则7 根轨迹与虚轴的交点。 规则8 根轨迹的出射角和入射角。 规则9 根轨迹的分离点（或汇合点）。 1）设开环传递函数为Gk(s)，在分离点处： 2）由式（4.2）可得K*表达式： 在分离点处： 3）分离点坐标d是下列方程的解： [例3] 已知系统开环传递函数 试求系统闭环根轨迹分离点坐标。 ②方法2 根据式(4.14)，求出闭环系统特征方程。 由上式可得 ③方法3 根据式(4.15)有 d1在根轨迹上，即为所求的分离点，d2不在根轨迹上，则舍弃。此系统根轨迹如图4.4。 以上介绍了9条绘制根轨迹的一般规则。为了熟练应用上述9条规则，并能绘制复杂系统根轨迹，下面再举一例说明如何绘制一个复杂系统的完整根轨迹图。 4.2.2 补根轨迹的绘制 在复杂的控制系统中，有时由于对象本身 的特性或为了满足系统性能的要求，可能含有正反馈回路；亦可能在开环传递函数的分子或分母中，出现S的最高次幂系数为负的情况。通常把这类系统的根轨迹叫做补根轨迹。 式4.16是绘制补根轨迹的依据。 4.3 控制系统根轨迹的性能分析 4.3.1 增加开环极点对控制系统的影 响 大量实例表明：增加位于S左半平面的开环极点，将使根轨迹向右半平面移动，系统的稳定性能降低。 由图可见：增加开环极点，使根轨迹的复数部分向右半平面弯曲。 一般来说，增加的开环极点越靠近虚轴，其影响越大，使根轨迹向右半平面弯曲就越严重，因而系统稳定性能的降低便越明显。 4.3.2 增加开环零点对控制系统的影 响 一般来说，开环传递函数G(s)H(s)增加零点，相当于引入微分作用，使根轨迹向左半S平面移动，将提高系统的稳定性。 4.3.3 利用根轨迹确定系统参数 [例6] 设开环传递函数为： 它的根轨迹如图4.11所示，要求闭环极点位于使系统具有ξ=0.5的阻尼比的位置，那么增益K*应是多大？ 解 在图4.11中画出ξ=0.5的射线，与根轨迹相交得闭环极点的要求位置s0。再画出Gk(s)的极点到s0的三个向量—— 得 由向量幅值 换句话说，如果取K*的值为65，则1+Gk (s)的一个根将位于s0，另一个根当然是和s0共轭的。第3个根在何处呢？由根轨迹知道，第3条根轨迹在负实轴上，在一般情况下，可以取一试探点，计算相应的K*值，然后修正试探点直到找出和K*=65相应的点为止。 图4.11 根轨迹增益的确定 具有式(4.19)开环传递函数的系统，因为