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电力电子技术;1.1 什么是电力电子技术;1.1 什么是电力电子技术;1.1 什么是电力电子技术;1.1 什么是电力电子技术;1.1 什么是电力电子技术;1.1 什么是电力电子技术;1.2 电力电子技术的发展史;1.2 电力电子技术的发展史;1.2 电力电子技术的发展史;1.2 电力电子技术的发展史;1.2 电力电子技术的发展史;1.3 电力电子技术的应用;1.3 电力电子技术的应用;1.3 电力电子技术的应用;1.3 电力电子技术的应用;1.3 电力电子技术的应用;1.3 电力电子技术的应用;1.3 电力电子技术的应用;1.3 电力电子技术的应用;1.4 本教材的内容简介;1.6.1 电力电子器件驱动电路概述;; 驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。 ?光隔离一般采用光耦合器 ?磁隔离的元件通常是脉冲变压器;按照驱动信号的性质，可分为电流驱动型和电压驱动型。 驱动电路具体形式可以是分立元件的，但目前的趋势是采用专用集成驱动电路。;1.6.2 晶闸管的触发电路;V1、V2构成脉冲放大环节。 脉冲变压器TM和附属电路构成脉冲输出环节。 ?V1、V2导通时，通过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲。;1.6.3 典型全控型器件的驱动电路;;为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小。 使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，使IGBT开通的驱动电压一般15 ~ 20V。 关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取-5 ~ -15V）有利于减小关断时间和关断损耗。 在栅极串入一只低值电阻，可以减小寄生振荡。;1.6.3 典型全控型器件的驱动电路;(2) IGBT的驱动;1.7 电力电子器件的保护;1.7.1 过电压的产生及过电压保护;电力电子装置可视具体情况只采用其中的几种。 其中RC3和RCD为抑制内因过电压的措施，属于缓冲电路范畴。;1.7.2 过电流保护;对一些重要的且易发生短路的晶闸管设备，或者工作频率较高、很难用快速熔断器保护的全控型器件，需采用电子电路进行过电流保护。 常在全控型器件的驱动电路中设置过电流保护环节，这对器件过电流响应是最快 。;1.7.3 缓冲电路;1.7.3 缓冲电路;另外两种常用的缓冲电路 RC缓冲电路主要用于小容量器件，而放电阻止型RCD缓冲电路用于中或大容??器件。;图1-42　电力电子器件分类“树”; 本章小结; IGBT为主体，第四代产品，制造水平2.5kV / 1.8kA，兆瓦以下首选。仍在不断发展，与IGCT等新器件激烈竞争，试图在兆瓦以上取代GTO。 GTO：兆瓦以上首选，制造水平6kV / 6kA。 光控晶闸管：功率更大场合，8kV/3.5kA，装置最高达300MVA，容量最大。 电力MOSFET：长足进步，中小功率领域特别是低压场合，地位牢固。 功率模块和功率集成电路是现代电力电子发展的一个共同趋势。;;第二章 整流电路;§ 2.2、晶闸管(SCR、VT);二、工作原理;三、晶闸管基本特性;2、晶闸管电流定额;;;;小结:单相半波可控 整流电路的特点;声光自熄开关;声光自熄开关（一）原理分析（白天）;声光自熄开关（一）原理分析（晚上无声音）;声光自熄开关（一）原理分析（晚上有声音）;声光自熄开关（二）;;;q ? ;;§2.6 三相半波可控整流电路 ;α=300时三相半波可控整流电路 ;;三相半波可控整流电路整流电压平均值的计算 ;二、阻感负载;例1：;d2;α=300;;;二、三相桥式全控整流电路阻感负载;图3 三相桥式全控整流电路带阻感负载a =90?时的波形 ;三相桥式全控整流电路定量分析 ;§2.7 整流电路的有源逆变;逆变产生的条件;单结晶体管;峰值电压 Up ;单结晶体管振荡电路;单结晶体管触发电路;单结晶体管触发电路 (二);双向晶闸管;触摸式调光台灯;触电的形式;保护接地;保护接零;重复接地;; ;第三章 直流斩波电路 ; MOSFET;电力场效应晶体管;电力MOSFET静态特性;电力MOSFET动态特性;IGBT的结构和工作原理 ;线性稳压电源方框图;降压斩波电路 （Buck Chopper）;升压斩波电路 (Boost Chopper );升降压斩波电路;Sepic斩波电路;开关电源分类;晶体管开关稳压电源;半桥型开关稳压电源;波形分析;半桥型开关稳压电源主电路;;反馈控制;§4 交流电力控制电路和交交变频电路;§4.1交流调压电路;二、阻感负载;;α= φ;;1、VT1提前导通，L被过充电，放电时间延长， VT1的导通角超过π； ;;§4.2 三相交流调压电路;;VT5 ;α=900;α=1200;§4.2 单相交交变频电路 ;二、整流与逆变工作状态