13原子不规则排列b.pptVIP

1.3 原子的不规则排列 1．液体金属凝固时形成位错 枝晶生长过程中受温度梯度、浓度梯度、机械振动和杂质影响而产生内应力，使枝晶发生偏转或弯曲，点阵错排。 2．过饱和空位转化成位错 3．局部应力集中形成位错 晶体内部的某些界面和微裂纹附近，由于应力作用使局部区域发生滑移，产生位错。 退火状态金属的位错密度为106~108/cm2。冷加工状态金属的位错密度为1010~1012/cm2，说明位错增殖。 引用最多的位错增殖机制，为F-R源机制（弗兰克-瑞德源），如图 螺型位错AB，位错线段两端固定，在外加切应力作用下变弯并向外扩张，当两端弯出来的线段相互靠近时，C、D两点分别为正、负刃型位错，抵消并形成一闭合位错环和环内一小段弯曲位错线，然后继续。 已知使位错线弯曲至曲率半径为R时所需切应力τ为： 开始R→∞，故使位错弯曲的外加应力τ很小。 当变为半园形时，R=1/2L最小，τ最大 位错运动过程中除遇到其它位错而发生交截外，还可能遇到 晶界，孪晶界，相界等障碍物而产生“塞积”现象。 关于位错塞积现象的讨论： 1）刃位错间相互斥力 2）位错塞积群对位错源的反作用力 此力与塞积群中的位错数目n成正比。 塞积位错达到n后，外加力与塞积群反作用力平衡， 外力不足以开动位错源，这时近似： 式中：τ0为外加分切应力；l为位错源距障碍