硅单晶热膨胀性质的分子动力学与晶格动力学模拟-物理电子学专业论文.docxVIP

分类号 分类号 密级 学校代码 】Q墨垒至 学号2Q 12Q2】】Q鱼2鱼 硅单晶热膨胀性质的分子动力学 与晶格动力学模拟 Molecular Dynamics and Lattice Dynamics 1。_一 Slmulatlon ot 1 hermal P2xpanslon Property Ot Si Single．Crystal 湖南师范大学学位评定委员会办公室 二。一五年五月 万方数据 摘 摘 要 硅是地球上储藏最丰富、使用最广泛的半导体材料，在微电子领 域已有大量应用。最近二十多年来，硅材料在微机电系统中也有广泛 应用，如人们研制成功各种的硅微型压力传感器、硅微尺度的加速度 计。热学性质是硅材料的一种基本物理性质，对它们的了解和掌握将 有助于我们成功设计和可靠使用基于硅材料的各种微机电系统构件。 热膨胀作为硅单晶材料的最重要的一种热学性质，长期以来得到了人 们充分的理论与实验研究。人们通过实验，发现它在低温下有负热膨 胀现象，研究表明，采用Stillinger—Weber模型，人们不能在低温下计 算得到负热膨胀系数。因此应用该模型不能解释硅单晶材料的低温下 有负热膨胀的物理机制，必须进行修正。 本文将揭示硅晶体在低温下具有负热膨胀性质的微观机制，对 Stillinger—Weber模型加以修正，使其能应用于硅单晶的热膨胀研究， 为微型机电系统构件的合理设计和可靠使用提供理论依据。该研究方 法同样适用于其他金刚石结构的晶体材料的热膨胀性质研究，具有普 适性。 本文的主要内容包括： 1．介绍硅材料其热物性尤其是热膨胀性质的理论与实验研究现 状及研究意义。 2．介绍Stillinger．Weber模型下硅单晶分子动力学模拟的基本原理 以及分子动力学模拟的主要步骤和流程，并加以实验数据进行模拟。 3．采用晶格动力学的方法推导了硅单晶的热膨胀系数与原子间 万方数据 两体作用和三体作用的三阶力常数之间的关系式，通过微扰理论的运 两体作用和三体作用的三阶力常数之间的关系式，通过微扰理论的运 用推导出硅单晶的晶格常数和热膨胀系数的公式，由此探索硅单晶在 低温下具有负热膨胀性质的物理机制。 4．对硅单晶热膨胀性质的晶格动力学模拟结果、分子动力学模拟 结果以及实验数据结果进行对比，并得出相关结论：硅单晶在低温下 确实存在负热膨胀性质，引起该性质的根本原因是三阶力常数 a3％G，r2，伊)／砒(2)a2伊为正。 关键字：硅单晶；分子动力学；晶格动力学；热膨胀性质 万方数据 AbstractSilicon Abstract Silicon is the most widely used semiconductor material which has the most abundant storage on Earth，and it has a large number of applications in the field of microelectronics．The last twenty years，the silicon material in micro—electromechanical systems are also widely used， as people successfully developed a variety of silicon micro—pressure sensors，silicon microscale accelerometers．Thermal properties is a fundamental physical properties of silicon material， for their understanding and knowledge will help US to successfully design and reliable use of micro-electromechanical systems based on various components of silicon materials．For the silicon single—crystal materials， Thermal expansion is the most important type of thermal properties， which has long been the obj ect of sufficient theoretical and experimental research．Through many experiments，people found that it has a negative thermal expansion phenomeno