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2014至2015学年第二学期
教师授课教案
类别:井下特种作业
授课专业班级:机电1
课程:电子技术基础
开课时间:3月24日-28日
总课时:40学时
使用教材:电子技术基础(第四版)
授课教师:
教 研 室:
教师姓名
性别
年龄
职称
所用教材
电子技术基础(第四版)
授课对象
(初、复训)
授课名称
电子技术基础
课程课时
40
授课时间
授课方式
安全培训教师岗位证书编号/专业:
序 号
主要章节、内容
课时分配
1
第一章:半导体二极管
1、半导体基础知识,2、半导体二极管
4
2
第二章:半导体三极管及其放大电路
1、半导体三极管,2、共射极基本放大电路
3、分压式射极偏置电路,4、多级放大,5、负反馈放大电路
6
3
第三章:集成运算放大器及其应用
1、差动放大电路,2、集成运放放大器概述,3、集成运算放大器的基本电路,4、集成运算放大器的应用电路,
6
4
第四章:正弦波振荡电路
1、正弦波振荡电路的基本原理,2、LC正弦波振荡电路。3、RC振荡电路,4、石英晶体振荡电路
4
5
第五章:直流稳压电源
1、整流电路,2、整流器件的选用,3、滤波电路,4、稳压电路,5、集成稳压器,6、开关型稳压电源简介
4
6
第六章:晶闸管及应用电路
1、晶闸管,2、晶闸管整流电路,3、负载类型对晶闸管整流的影响
4
7
第七章:门电路及组合逻辑电路
1、分立原件电路,2、集成门电路
4
8
第八章:触发器及时序逻辑电路
1、触发器
4
9
复习
4
上课次序
1
授课课时
4
授课章节名称
第一章:半导体二极管
教学
目标
知识目标
了解半导体的特性和PN结的形成与特性
能力目标
掌握二极管、稳压管的特性
教学
要点
教学重点
PN结的形成与特性
教学难点
二极管的伏安特性
课型
理论
安全教育
理解记忆法,模型观察法
教法与学法 (教具)
电视机、播放器、U盘、多媒体
半导体的导电特性
1、光敏性、热敏性、可掺杂性
2、本征半导体:纯净的半导体称为本征半导体。
3、N型半导体
结构形成方式:掺入五价杂质元素使载流子数目增多,自由电子是多子
4、P型半导体
结构形成方式:掺入三价杂质元素使载流子数目增多,空穴是多子
PN结的形成与特性
形成过程
特性:单向导电性
二极管
1、结构、外形、分类:
(1)按材料分:有硅二极管,锗二极管和砷化镓二极管等。
(2)按结构分:根据PN结面积大小,有点接触型、面接触型二极管。
(3)按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。
(4)按封装形式分:有塑封及金属封等二极管。
(5)按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。
2、主要参数
3、判别办法:用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。
4、二极管的伏安特性。
5、特殊功能二极管:稳压管、发光二极管
上课次序
2
授课课时
6
授课章节名称
第二章:半导体三极管及其放大电路
教学
目标
知识目标
1、了解三极管的结构与特性,2、掌握三极管的类型和电流放大原理;3、了解电路的结构组成,
能力目标
1、理解三极管的特性曲线和主要参数,2、用图解法分析静态工作点和动态波形
教学
要点
教学重点
1、三极管的电流放大原理
教学难点
1、三极管的输入输出特性,2、特性曲线
课型
理论
安全教育
理解记忆法,模型观察法
教法与学法 (教具)
电视机、播放器、U盘、多媒体
三极管的基本结构和类型
二、三极管在电路中的联接方式
三、三极管的电流放大作用及原理
三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。
1)发射区向基区发射电子的过程
2)电子在基区的扩散和复合过程
3)电子被集电区收集的过程
特性曲线和主要参数
1、输入特性: iB=f(uBE)常数 2、输出特性: iC=f(uCE)常数
三极管的基本结构和类型
1、2、在电路中的联接方
特性曲线和主要参数
输入特性
IE=IC+IB 输出特性 IE=f(UBE)|UCE:常数IC=f(UCE)|IB:常数
三极管的微变等效电路:
二、放大器的微变等效电路:
交流动态参数的计算:1、电压放大倍数 = 2.输入输出电
五、静态工作点不稳定的原因
静态工作点不稳定的原因较多,如温度变化、电源波动、元件老化而使参数发生变化等,其中最重要的原因是温度变化的影响。
l、 温度变化时对ICEO的影响
一般情况,温度每升高 12℃ ,锗管ICEO数值增大一倍;温度每升高 8℃ 时,硅管的ICEO数值增大一倍。
2、温度变化对发射结电压uBE影响
在电源电压不变的情况下,温度升高后,使uBE减小,一般晶体管uBE的温度系数约为-2~2.5 mv/℃。uBE减小,将
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