微弱信号的放大--备战2014电赛.pptxVIP

微 弱 信 号 测 量 技 术;2;“微弱信号”不仅意味着信号的幅度很小，而且主要指的是被噪声淹没的信号。“微弱”是相对于噪声而言的。 ;传感器;5;6;7;场耦合;设干扰辐射场的波长为λ，在小于λ/2π的距离内，电路之间经由场的耦合过程需分别考虑电场耦合和磁场耦合。;传导耦合 经导线传导引入的干扰噪声。;公共阻抗耦合;12;认识干扰，防止干扰在电路附近出现，知道它是如何进入并且如何消除或者找到对付干扰的方法是一个很大的题目。 ;使得被放大的信号中的噪声进一步增加。;放大器及其电路中元器件本身产生的噪声与外界的干扰（或无用信号）在放大器的某一端产生的电压或电流噪声或其相关电路产生的噪声之间是有区别的。;运放的噪声 ;在运算放大器的输出端出现的噪声用电压噪声en来度量。电压噪声源和电流噪声源都能产生噪声。运算放大器所有内部噪声源???常都折合到输入端，即看作与理想的无噪声放大器的两个输入端相串联或并联不相关或独立的随机噪声发生器。;图1. 一个噪声双端口网络可以表示为一个无噪声双端口网络加外部电流噪声源In1和In2 ;图2. 一个噪声双端口网络还可以表示为一个无噪声双端口网络加输入端上的外部噪声源Vn和In ;运算放大器噪声有三个基本来源 ;具体来讲，运放内部包含大量晶体管，因此有大量的PN结，这些都是射击噪声（shot noise）源；运放内部还包含一定数量的电阻，它们都会产生热噪声；运放引脚级内部连接总会涉及不同金属的接触，因此1 / f 噪声必然存在。所有这些构成了运放内部固有噪声。 ;Se(f)/(nV2/Hz);图3. 放大器和相关噪声成份的实例 ;放大器电路的总噪声取决于放大器本身、外部电路阻抗、增益、电路带宽和环境温度等参数。电路的外部电阻所产生的热噪声也是总噪声的一部分。 ;带宽范围内的总噪声 ;噪声系数： 对于线性二端口网络，us为信号源电压，Rs为信号源输出电阻，RL为放大器负载电阻。噪声系数 ;对于一个无噪声的理想放大器，F=1。而对于具有内部噪声源的实际放大器，F1，F越大，说明放大器内部噪声越严重。;级联放大器的噪声系数： ;级联放大器的噪声系数 ;30;BJT的噪声特性;32;33;34;FET的噪声特性;36;低噪声放大器的设计 ;一、器件的选择 ;39;为使噪声系数最小，不同频段选用半导体三极管参数要求;⑵ 有源器件的选择 ;低噪声放大器应尽可能选用eN iN小的器件，这样才能使放大器的最小噪声系数较小。;从源电阻考虑;从工作频率考虑;噪声电压主要由电阻的热噪声以及输入基极电流的高频区射击（肖特基）噪声所造成，低频噪声电平大小取决于流入电阻的输入晶体管基极电流产生的低频噪声；噪声电流主要由输入基极电流的射击噪声及电阻的低频噪声所产生。;例：MAX410;噪声电压主要由高频区通道电阻的热噪声及低频区的低频噪声所造成，CMOS放大器的转角频率(corner frequency)比双极放大器高，而宽带噪声也远比双极放大器高；噪声电流主要由输入门极漏电的射击噪声所产生，CMOS放大器的噪声电流远比双极放大器低，但温度每升高10(C，其噪声电流便会增加约40%。;CMOS输入低噪声放大器能够提供与双极型设计相当的电压噪声指标。CMOS输入放大器的电流噪声与最好的JFET输入设计相当，甚至优于JFET输入放大器。;JFET输入放大器 ;50;对于低频信号，低频前置放大器要求能够无损失地获取传感器中发送的信号，同时尽量提高该信号与前置放大器中产生的噪声的比值。因此，需要提高前置放大器的输入阻抗，使它比信号源的阻抗高得多。 ;采用CMOS输入的低噪声放大器具有非常低的偏置电流和失调电压，以及非常高的输入阻抗。这些非常适合源阻抗较高（如光电二极管前置放大器）的信号调理。;1kΩ;在高频电路中，使信号源阻抗、电缆线阻抗以及前置放大器的输入阻抗三者相等，以达到噪声匹配。一般来讲，双极型晶体管的eN较小，故其Rso较小，比较适合于源电阻较小的情况；而场效应管的iN较小，故其Rso较大，比较适合于源电阻较大的情况。;二、偏置电路与直流工作点选择 ;在交流等效电路中，如果Rp = R1 // R2与源电阻RS相比足够大，则它们产生的噪声经过Rp和RS串联分压后可得到有效衰减，与源电阻RS的热噪声相比可能就很小，所以，R1和R2也应该采用1/ f 噪声很低的优质电阻。 ;;② 直流工作点选择;;③ 噪声匹配 ;;实际使用中，变压器的线圈和铁芯会有损耗电阻，因而存在热噪声，对信号有衰减，使得信噪比变坏，但只要变压器初级的损耗电阻比信号源电阻足够小，则用变压器进行噪声匹配可以有效改善电路系统的噪声系数。 ;另外还要注意：上述方案是针对频率较高的交流信号而言的，对于直流信号、慢变化信号和超低频信号