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实习心得体会(电子科学与技术专业) 　　实习心得体会　　20xx年x月x日至x日，作为大四学生的我们参加了学校组织的毕业实习。在北京集成电路设计园有限责任公司组织的为期十天的实习中，我们先后经历了讲座、培训、实地参观等实习项目。在老师和北京集成电路设计园有限责任公司实习负责人的精心组织安排下，让我们在这短短十天的实习生活中，学习到了很多、领悟到了很多；看到了很多新事物、接受了很多新思想、掌握了很多新技术、领略了很多新观念。总之，十天的实习，让在校学习了将近四年的我们又有了一次质的飞跃，让我们看到了自己今后的“舞台”或者说是“战场”，让我们实实在在的看到了自己所学专业的广阔前景。下面，我就把在此次实习中获得的几点心得体会总结如下：　　一、进一步加强了理论基础，获得了专业人士的宝贵实践经验。 本次实习的第一个项目是两位从业十年以上的、经验非常丰富的工程师来给我们分别作了数字集成电路设计和模拟集成电路设计的讲座培训。两位工程师结合自己多年实践中总结出的宝贵经验，认真细致的从生产实践的角度给我们做了讲解。通过他们的讲解，让我们对数字、模拟集成电路设计又有了比之前在学校所学的更多、更新的认识，进一步加强了我们的理论基础，并且获得了两位工程师宝贵的多年积累下来的实践经验，这对我们以后的进一步深造学习和工作打下了坚实的基础。　　二、知行合一，完成了从书本理论知识到具体生产实践过程的转换。　　除了讲座培训以外，所占此次实习安排比重最大的就是生产工厂和科研院所的参观学习。这样的参观活动意义重大。它让我们亲眼看到了的书本上所学所讲的东西；让我们从书本认识升华到了具体的生产实践认识；让我们脑海中的想象得到了现实的印证；让我们从“知”转化为了“行”，充分体现了我们xxxx学的“知行”校训。　　三、走进科研院所，了解学术前沿。　　在具体的参观学习过程中，我们参观了不乏清华下一代互联网国家级实验室、泰斯特自动测试研究所、赛思公司测试实验室等拥有先进设备和先进技术的科研院所。通过对这些掌握先进技术的科研院所的参观学习还有那里专业人士的悉心讲解，让我们从多方面、多角度了解当前集成电路设计、测设、封装等相关技术的学术前沿，对这些技术的未来发展趋势有了新的、更全面的认识。　　四、走进生产工厂，了解整个集成电路产业。　　在十天的实习中，我们还有幸走进中芯国际、华大集团等著名的生产厂商，进到他们的生产车间。在有了自己亲眼目睹集成电路生产线和讲解员的细致讲解之后，让我对集成电路生产有了一个直观的、全面的认识　　五、提振信心，继续前行。　　十天的生产实习是短暂的，但是它带给一个即将毕业的大四学生的影响是无限的。通过这十天的所见所闻，让我们每一个同学再次点燃了对集成电路这个专业前景的希望之灯，这盏明亮的希望之灯、信心之灯将照耀着我们在这个祖国最需要的专业上继续前行！  第二篇：电子科学与技术专业参观心得 2700字 　　工艺专题 　　电科1101 郭灿鸿　　晶圆制造工艺流程　　1、 表面清洗　　2、 初次氧化　　3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。　　（1）常压 CVD (Normal Pressure CVD)　　（2）低压 CVD (Low Pressure CVD)　　（3）热 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)　　（4）电浆增强 CVD (Plasma Enhanced CVD)　　（5）MOCVD (Metal Organic CVD) 分子磊晶成长 (Molecular Beam Epitaxy)　　（6）外延生长法 (LPE)　　4、 涂敷光刻胶　　（1）光刻胶的涂敷　　（2）预烘 (pre bake)　　（3）曝光　　（4）显影　　（5）后烘 (post bake)　　（6）腐蚀 (etching)　　（7）光刻胶的去除　　5、 此处用干法氧化法将氮化硅去除　　6 、离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱　　7、 去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理　　8、 用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷 (P+5) 离子，形成 N 型阱　　9、 退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层　　10、干法氧化法生成一层 SiO2 层，然后 LPCVD 沉积一层氮化硅　　11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层　　12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区　　13、热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并