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第三章 扩散工艺 主要内容 概述 扩散原理（模型与公式） 实际扩散分布的分析 扩散工艺和设备 扩散工艺质量检测 概述 掺杂——将所需要的杂质按要求的浓度和分布掺入到半导体材料中的规定区域，以达到改变材料导电类型或电学性质的过程。 掺杂的方法很多：合金法、扩散法、离子注入法。在IC制造中主要采用扩散和离子注入法。 合金掺杂——通过杂质材料与半导体材料合金的方法实现掺杂的过程。 离子注入掺杂——杂质通过离化、加速形成高能离子流，靠能量打入半导体材料的规定区域、形成杂质分布的过程。 高浓度深结掺杂采用扩散方法，高精度浅结采用离子注入方法 半导体器件制造中常用的掺杂杂质有磷、硼、砷，锑 扩散是微电子工艺中最基本的工艺之一，是在约1000℃的高温、p型或n型杂质气氛中，使杂质向衬底硅片的确定区域内扩散，达到一定浓度，实现半导体定域、定量掺杂的一种工艺方法，也称为热扩散。 目的是通过定域、定量扩散掺杂改变半导体导电类型，电阻率，或形成PN结。 扩散工艺在IC制造中的主要用途 晶体管的基区、发射区 双极器件的扩散电阻 在MOS制造中形成源和漏 互连引线 多晶硅掺杂 太阳能电池 杂质扩散机构 扩散运动：物质的随机热运动，趋向于降低其浓度梯度；即存在一个从高浓度区向低浓度区的净移动。 扩散工艺：利用杂质的扩散运动，将所需要的杂质掺入硅衬底中，并使其具有特定的浓度分布。 研究杂质在硅中的扩散运动规律目的何在呢？ 开发合适的扩散工艺，预测和控制杂质浓度分布。 研究IC制造过程中其它工艺步骤引入的扩散过程对杂质分布和器件电特性的影响。 许多杂质即可以是替位式也可以是间隙式溶于晶体的晶格中，并以间隙-替位式扩散。 这类扩散杂质的跳跃率随空位和自间隙等缺陷的浓度增加而迅速增加。 1.2杂质扩散系数与扩散方程 菲克第一定律 －如果在一个有限的基体中存在杂质浓度梯度 ，则杂质将会产生扩散运动，而且杂质的扩散方向是使得杂质浓度梯度减小。 菲克第一定律：杂质的扩散流密度J正比于杂质浓度梯度 ，比例系数D定义为杂质在基体中的扩散系数。表达式为: 上式可以写为： 代入菲克第一定律(3.1)得菲克第二定律： 假设D和位置无关（杂质浓度很低时,可认为扩散系数与浓度无关，D为常数) ，式3.2可以简化为： 因为沿硅片深度方向的扩散是主要的关注之一，所以也可把位置变量用沿着硅圆片深度方向(Z)取代，上式可改写为： 上式被称为菲克简单扩散方程 1.3扩散形式 扩散工艺是要将具有电活性的杂质，在一定温度，以一定速率扩散到衬底硅的特定位置，得到所需的掺杂浓度以及掺杂类型。 两种方式：恒定表面源扩散和限定表面源扩散 扩散工艺重要的工艺参数包括： ①杂质的分布 ②表面浓度 ③结深 ④掺入杂质总量 预淀积扩散（菲克定律的第一类解）：杂质源通常为气相源，原子自源蒸气输运到硅片表面，并扩散到硅内，在扩散过程中源蒸气保持恒定的表面浓度，这种扩散称为预淀积扩散,又称为恒定表面源扩散 时间t=0时，初始条件：C(x,0)=0 边界条件：C(0,t)=Cs 以及： C(∞,t)=0 满足上述初始条件和边界条件的式（3.2）的解为 如果衬底杂质浓度为CB，扩散杂质与衬底杂质反型，计算扩散形成的PN结结深： 在硅片的扩散过程中，硅片内的杂质总量保持不变，没有外来杂质补充，仅限于扩散前积累在硅片表面无限薄层内的有限数量的杂质，向硅片体内扩散，又称“限定源”或“再分布”。 ﹡假设扩散开始时杂质总量Q0均匀分布在厚度为h的一个薄层内，不考虑硅片衬底杂质浓度的条件下： 如果衬底杂质浓度为CB，扩散杂质与衬底杂质反型，计算扩散形成的PN结结深： 在实际工艺中，往往用“预淀积”+“再分布”的两步扩散法。 第一步：在较低的温度下进行短时间的恒定表面源扩散，扩散深度很浅，目的是控制进入硅片的杂质总量，称“预淀积）； 第二步：以预扩散杂质分布作为掺杂源，高温下进行有限表面源的推进扩散，使杂质向硅片内部推进，重新分布，通过控制扩散温度和时间以获得预期的表面浓度和结深（分布），又称“再分布”、主扩散。 作用：较好地解决了表面浓度、结深与扩散温度、时间之间的矛盾。 预淀积扩散 有限表面源扩散（推进扩散） 2.实际扩散分布的分析 实际扩散工艺中，由于各种因素的影响，常使杂质分布偏离理论结果。 横向扩散：杂质在纵向扩散的同时，也进行横向扩散，实际情况应是高维的扩散方程解。 横向扩散长度是纵向扩散深度的0.75～0.85。 横向扩散直接影响VLSI的 集成度，也影响着PN结电容。