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第二章 材料的电性能 材料的导电性能 电导的物理现象 电子类载流子导电 离子类载流子导电 半导体和超导体 材料电性能测量及应用举例 材料的介电性能 介质的极化 介质的损耗 介电强度 材料的压电性能 材料的铁电性能 材料介电性能测量及应用举例 临界温度Tc依赖于同位素质量的现象。当M??时， Tc应趋于零，没有超导电性。 当原子质量M趋于无限大时，晶格原子就不可能运动，当然不会有晶格振动了， 由此可知：电子-晶格振动的相互作用是超导电性的根源。 当电子间有净的吸引作用时，费密面附近的两个电子将形成束缚的电子对的状态，它的能量比两个独立的电子的总能量低，这种电子对状态称为库柏对。 考虑到电子的自旋，最佳的配对方式是动量相反同时自旋相反的两个电子组成库柏对。 第二章 材料的电性能 第一节 材料的导电性能 （2）第二类超导体 3.6 第二类超导体的M－H曲线 第二章 材料的电性能 第一节 材料的导电性能 除金属元素钒、锝和铌外，第II类超导体主要包括金属化合物及其合金。第II类超导体和第I类超导体的区别主要在于： 第II类超导体由正常态转变为超导态时有一个中间态（混合态） 第II类超导体的混合态中有磁通线存在，而第I类超导体没有； 第II类超导体比第I类超导体有更广泛的应用。 超导的微观图像与机制 1、同位素效应 2、电子－声子相互作用 图2.8 电子使离子产生位移， 从而吸引其它电子 晶体中电子是处于正离子组成的晶格环境中，带负电荷的电子吸引正离子向它靠拢；于是在电子周围又形成正电荷聚集的区域，它又吸引附近的电子。 电子间通过交换声子能够产生吸引作用。 3、库柏（Cooper)电子对 第二章 材料的电性能 第一节 材料的导电性能 2.1.3 离子类载流子导电 一、离子浓度 晶体离子电导 本征电导 杂质电导 组成晶体点阵的基本离子由于热运动而离开晶格，形成热缺陷，这种热缺陷无论是离子或空位都可以在电场作用下成为导电的载流子，参与导电。 固有离子电导 由固定相对较弱的离子运动引起的，主要是杂质离子 较低温时 第二章 材料的电性能 第一节 材料的导电性能 本征电导首先取决于晶体中的佛仑克尔（Frenkel）缺陷和肖脱基（Schottky）缺陷的浓度。 式中 、 分别为弗伦克尔缺陷（间隙离子或空位）、肖脱基缺陷（阳离子-阴离子空位对）的热平衡浓度； 、 分别为形成一个弗伦克尔缺陷或肖脱基缺陷（一对）所需要的能量； 为波耳兹曼常数； 为热力学温度。 热缺陷的浓度取决于温度和缺陷的形成能。 高温时 第二章 材料的电性能 第一节 材料的导电性能 二、离子迁移率 离子载流子的迁移情形 第二章 材料的电性能 第一节 材料的导电性能 根据玻尔兹曼统计，在顺电场和逆电场方向载流子在单位时间内的跃迁次数分别为 式中， γ0为离子振动频率，U0为平衡时势垒高度， ΔU为电场作用下的位势差. = 可得离子载流子沿电场方向的迁移速度为 第二章 材料的电性能 第一节 材料的导电性能 离子栽流子的迁移率为 第二章 材料的电性能 第一节 材料的导电性能 离子型电导中的载流子浓度和迁移率均与温度T成指数正比关系，则电导率写为如下一般表达式： 第二章 材料的电性能 第一节 材料的导电性能 三、离子电导与扩散 能斯持—爱因斯坦（Nernst-Einstein）方程 式中：μ为离子迁移率；B为离子绝对迁移率 第二章 材料的电性能 第一节 材料的导电性能 四、离子导电的影响因素 1、温度的影响 温度对离子导电的影响 高温区的本征导电 低温区的杂质导电 第二章 材料的电性能 第一节 材料的导电性能 2、离子性质、晶体结构的影响 晶体熔点高 原子之间的结合力大 导电激活能高 电导率降低 晶体结构的影响是提供有利于离子移动的“通路”。 结构紧密的离子晶体，由于可供移动的间隙小，则间隙离子迁移困难，激活能高，因而具有低的电导率。 第二章 材料的电性能 第一节 材料的导电性能 3、点缺陷的影响 理想晶体由于热激活而存在肖特基缺陷或弗伦克尔缺陷。 不等价固溶体掺杂形成晶格缺陷。 晶体所处环境气氛变化而使离子型晶体的正负离子的化学计量比发生变化，而形成晶格缺陷。 五、快离子导体 第二章 材料的电性能 第一节 材料的导电性能 第二章 材料的电性能 第一节 材料的导电性能 2.1.4 半导体和超导体 一、半导体 固体材料：超导体: 大于106(?cm)-1 导 体: 106~104(?cm)-1 半导体: 104~10-10(?cm)- 绝缘体: 小于10-10(?cm)- 什么是半导体？ 从导电特性