数字电路2.4CMOS集成门电路.pptVIP

2.4 CMOS门电路 一、MOS管反相器 以增强型NMOS管基本开关电路为例 当uIUGS（TH）时，MOS管工作在截止区， 当uI UGS（TH） 时，沟道电阻变得很小， 我们可以将MOS管看作是一个电压控制的电子开关 T uI uO UDD RD D G S UGS(TH) UDS ID 0 UGS ID 0 输出为低电平，uO=UOL≈0V 输出即为高电平，uO=UOH≈UDD UGSUGS(TH) UGSUGS(TH) uI=0V时，T1导通，T2截止， 输出与输入之间为逻辑非的关系 只有当uIUDD时，D1导通；uI 0V时D2导通。对电路进行保护 CMOS反相器的工作原理 uI=UDD时，T1截止，T2导通， T1为增强型PMOS， D1、 D2 是保护二极管 T2为增强型NMOS 静态时T1、T2总是有一个导通而另一个截止——谓互补状态，所以把这种电路结构形式称为互补MOS（Complementary-Symmetery MOS，简称CMOS）。 由于总有一个MOS管截止，静态电流极小，静态功耗极小 T1 T2 UDD uI uo D1 D2 uO≈ UDD uO≈0 由于总有一个MOS管导通，为负载提供了低阻通路，使充放电时间很短，开关速度比NMOS管大大提高 CMOS反相器的特性曲线 （一）电压传输特性及噪声容限 T1 T2 UDD uI uo D1 D2 ui uo 0 传输特性特性很陡，阈值电压， 从而获得了更大的输入噪声容限， UDD/2 UDD UDD增大时的特性曲线 （二）输入特性 在正常情况下，保护电路不动作，其输入电流不大于1μA 。 由于保护电路的二极管电流的容量有限，一般为1mA，所以有可能出现大电流的场合，如：输入端接有低内阻的信号源、长线时（存在分布电感和分布电容），应在输入端串入保护电阻， 串入保护电阻 且随着电源电压（5-15V）提高而增大。 阈值电压 确保流经保护二极管的电流不超过1mA。 二、其它功能的CMOS门电路 在CMOS门电路的系列产品中，除了反相器外常用的还有与门、或门、与非门、或非门、与或非门、异或门等 V1、V2为两只串联的NMOS管 V3、V4为两只并联的PMOS管 输入A、B中有低电平时，V1、 V2中有截止， V3、 V4中有导通，输出UO总为高电平。 1.与非门 只有当A、 B均为高电平输入时， V1、 V2同时导通， V3、 V4中同时截止，UO(F)才为低电平 V1、V2为两只并联的NMOS管 V3、V4为两只串联的PMOS管 输入A、B中只要有高电平时，V1、 V2中有导通， V3、 V4中有截止，输出UO就为低电平。 2.或非门 只有当A、 B均为低电平输入时， V1、 V2同时截止， V3、 V4中同时导通，UO(F)才为高电平 3、CMOS“异或”门 由三个CMOS反相器和一个CMOS传输门组成 传输门的控制信号A、A 当A = B = 0时 0 0 1 1 0 TG断开 当A = B = 1时， 1 1 TG接通 1 1 0 F=0 ? 输入端A和B相同 输入端A和B相同， 输出 F=0 F = 0 输入端A和B不同 当A = 1，B = 0时 1 0 TG导通 0 0 1 输出F=1 当A = 0，B = 1时 0 1 TG断开 1 0 1 输出F=1 输入端A和B不同， 输出 F=1 ? 输入端A和B不同 输出F=1 ? 输入端A和B相同 输出 F=0 由此可知：该电路实现的是“异或”的逻辑功能 4. CMOS 与门 A B Y 1 +VDD V SS T P1 T N1 T P2 T N2 A B Y A B Y +VDD B1 G1 D1 S1 A TN TP B2 D2 S2 G2 VSS 5. CMOS 或门 Y 1 +VDD B1 G1 D1 S1 A TN TP B2 D2 S2 G2 VSS A B ≥1 A B Y ≥1 +VDD V SS T P1 T N1 T N2 T P2 A B Y 6、CMOS 与或非门 A B C D ≥1 Y A B C D Y 1 三 CMOS 传输门、三态门和漏极开路门 1、 CMOS传输门 (双向模拟开关) 电路组成： TP C VSS +VDD I O / u u O I / u u TN C I O / u u O I / u u TG 工作原理： TN、TP均导通， TN、TP均截止， 导通电阻小(几百欧姆) 关断电阻大 ( ≥ 109 ?) (TG 门 — Transmission Gate) 2、CMOS 三态门 电路组成 +VDD V SS T P2 T N1 T P1 A Y T N2 1