G943119六页稿-东海大学化学工程与材料工程学系.DOCVIP

利用濺鍍法製備氮化鈦薄膜之研究 研究生：羅鈞炫 指導教授：何志松 指導教授簽名：____________ 日期：__________ 摘要 本研究以濺鍍法於矽晶圓基材上製備氮化鈦薄膜，製程控制條件分四大項：一、濺射電源(700/800/900 V)，二、偏壓電源(50/100/200 V)，三、氮氣通入量(10/20 /30/40 sccm )，四、濺鍍時間。製備好的氮化鈦薄膜，利用SEM、EDS、XRD、Alpha-Step、impedance analyzer等儀器做性質分析。 成長速率最快的濺鍍條件為濺射電源800 V，偏壓電源50 V，氮氣量30 sccm，其成長速率為11.95 nm/min。成長速率最慢的濺鍍條件為濺射電源900 V，偏壓電源100 V，氮氣量30 sccm，其成長速率為1.34 nm/min。 經XRD分析薄膜， 2θ角在37.5°、43.6°、63.5°、68.8°、及78.3°的地方，分別出現(103)、(200)、(220)、(301)、及(224)等Ti2N結構的繞射峰。 1. 緒論 濺鍍法主要是由於濺射現象的發現而產生，濺射現象早在一百年前就已被發現並被應用於鍍膜方面。至今，濺鍍法在產業界已是成熟且普遍的技術。基於電漿產生方式的不同，濺鍍法又可分為直流濺鍍、射頻濺鍍、磁控濺鍍、非平衡磁控濺鍍、及封閉式非平衡磁控濺鍍等方式。隨著不同的需求以及材質的特性，可以選擇不同的濺鍍製程以達到要求。 本實驗是以濺鍍法製備氮化鈦薄膜，固定條件為：一、以鈦為靶材，二、以氮氣做為工作氣體以及反應氣體。控制條件為：一、濺射電源(700/800/900 V)，二、偏壓電源(50/100/200 V)，三、氮氣通入量(10/20/30/40 sccm)，四、濺鍍時間。 實驗中使用的反應性氣體為氮氣，濺射粒子為鈦原子，也就是以鈦做為靶材，進行化學反應後，生成氮化鈦薄膜。基材為切割後的矽晶圓，氮化鈦則在其上生成。氮化鈦薄膜製備後，再利用各項儀器對此薄膜進行各項性質分析，以探討利用此法所製備的薄膜之特性。 本研究所用的濺鍍方式為直流濺鍍，再以直流濺鍍為基礎做反應性濺鍍。利用反應性氣體放電，使電漿中的活性物種與濺射粒子進行化學反應，生成化合物薄膜，此為反應性濺鍍。 改變上述的變因來製備氮化鈦薄膜，再藉由各項儀器分析薄膜性質，探討改變這些變因對薄膜特性之影響，並找出最佳鍍膜條件。 2. 文獻回顧 直流濺鍍是最基本的濺鍍方式，此種方式的特性是靶材必須為導體。靶材若為絕緣體，則無法使用此種濺鍍法，需利用射頻濺鍍法。圖2-1是一般濺鍍機的示意圖，也是直流濺鍍的示意圖。 圖2-1 直流濺鍍機示意圖 氮化鈦晶體的晶格常數(lattice parameter)為4.240 ?。由於氮化鈦晶體結構可以承受極大的空孔缺陷(vacancy defect)，所以對薄膜而言，氮化鈦晶體結構可以在極廣範圍的成分下存在。部分的氮化鈦性質列於表2-1[1]。 表2-1 氮化鈦性質表 維克氏硬度(VHN, Vickers Microhardness ) 2200~2500 熔點或分解(Decomposition) 2950 熱膨脹係數(×10-6) :室溫下 : 200~400 °C 9.35 8.3 楊氏係數(G Pa) 640 電阻值(20 °C時 22 摩擦係數(μ) 0.49 密度(g/cm-3) 5.43 氮化鈦薄膜目前已經是業界中常使用的鍍膜，最主要的優點有耐磨耗、高強度、高裝飾性(因為與黃金顏色相近)，所以在各類的器械上，如刀具、模具、五金等方面，均有很高的應用價值。若將氮化鈦鍍於鋼材或鋁材上，會有附著力強、摩擦係數低、耐溫性好等優點。一般多應用於鋁合金超高真空組件、軸承、高速切削工具[2]等。 在半導體工業方面，氮化鈦薄膜在VLSI的製程中當作擴散阻障層(diffusion barrier)，用來防止兩種材料相互擴散。另外，也可被當作保護淺接面(shallow junction)，用來避免金屬化製程(metallization)時，金屬化層與矽晶圓基材之間的交互作用[3]，並作為金屬導線層間之襯底(liner) [4]，以防止電性失效。 3. 實驗步驟 本研究以濺鍍法製備氮化鈦薄膜，其實驗流程如圖3-1所示。藉由改變濺射電源、偏壓電源、氣體流量、濺鍍時間，製備出氮化鈦薄膜，再探討改變以上變因對薄膜特性之影響。 基材準備 基材準備 靶材清潔 實驗參數設定 濺鍍薄膜 薄膜性質分析 氣體流量 偏壓電源 濺射電源 濺鍍時間 SEM EDS XRD Alpha-Step impedance analyzer 圖3-1 實驗流程圖 4. 結果與討論 4-1 表面微結構 薄膜完成後，利用SEM觀