4. 热电检测器.pptVIP

特点 (1)热敏探测器是宽波段响应的，但探测率比较低。光电类探测器的探测率(灵敏度)较高，但响应波长有限，而且在光电类探测器中，响应波长越长，则探测率越低，这是响应波长与探测率之间的矛盾。 (2)热敏类探测器的探测率越高，反应就越慢。光导型探测器也有同样的矛盾。 热释电探测器：响应时间不再取决于通常热敏片的温度上升过程。而取决于对入射辐射的切割速度，当然这种矛盾的解决是有限度的，入射辐射的调制频率升高，探测率仍然要下降，但是要比其它热电探测器慢得多。响应时间10-9 S ，但此时NEP高。只有在10Hz的调制频率下才能得到NEP=5*10-10 W 热释电探测器的优点 1 速度 工作频率几百千赫 2 探测率高 3 不需外加偏置电压，灵敏面大均匀 4 受环境温度变化的影响小 5 强度和可靠性好 热释电效应 某些物质(例如硫酸三甘肽、铌酸锂、铌酸锶钡等晶体)吸收光辐射后将其转换成热能，这个热能使晶体的温度升高，温度的变化又改变了晶体内晶格的间距．这就引起在居里温度以下存在的自发极化强度的变化，从而在晶体的特定方向上引起表面 电荷的变化，这就是热释电效应 原理 居里温度 自发极化 第三章 热电检测器件 特点： 1 响应与波长无关 2 响应速度比较慢 3 探测率低 热电探测器件 温差电型 热释电型 热敏电阻型 热探测器件的共性 入射 吸收 温升 热变换损失 t=0 热敏材料的时间常数 温升正比于入射功率 频率越大温升越小 最小可探测功率 它所辐射的总通量为W0=AασT4（其中σ为斯忒藩-波耳兹曼常数，T为温度）。如果探测器温度有一个微小的增量dT，则总辐射通量的增量为4AασT3dT。所以，只由辐射交换所产生的热导GQ为 GQ＝4AασT3 NEP＝(16Aσ kT5）1/2 取Δf＝1，α＝1 此式表示了热电探测器件可能达到的最佳性能。 NEP＝(16AσkT5）1/2 式中，σ＝5.67×l0-12W·cm-2·K-4；k＝1.38×10-23·K-1。 ??? 若假定A＝1cm2；T＝290K，则 NEP＝5.1×l0-11W 此值可作为衡量实际探测器性能的比较基准。 二、热电偶和热电堆 构造和原理 辐射热电偶 两种不同的金属互相接触时，由于不同金属内自由电子的密度不同，在两金属A和B的接触点处会发生自由电子的扩散现象。自由电子将从密度大的金属A扩散到密度小的金属B，使A失去电子带正电，B得到电子带负电，从而产生热电势。 入射 热敏材料的时间常数,RQ、CQ、GQ分别为器件的热阻、热容和热导。 热导GQ ，与材料性质和周围环境有关，为了使热导 稳定，常常抽成真空，所以热电偶通常称真空热电偶。 f为交流辐射调制频率 参数 响应率 直流 交流 响应时间 NEP 热电堆 几种不致冷的热电探测器的性能 1-样品? 2、6-温差电堆? 3-高莱元件4-红外传感元件? 5-硫酸三甘肽热释电探测器7-热敏电阻? 8-钽酸锂热释电探测器9-铌酸钦热释电探测器? 10-陶瓷热释电探测器11-薄膜测热辐射计 三、热敏电阻（测辐射热计） 结构和原理 1.热敏电阻的类型 金属热敏电阻 半导体热敏电阻 半导体材料 部分电子 跃迁到导带 电阻减小 电阻温度系数是负 金属材料 自由电子浓度变化小 晶格振动的加剧 妨碍了电子的自由运动 电阻温度系数是正 2.热敏电阻的工作原理 3.热敏电阻的结构 热敏电阻同光敏电阻十分相似，为了提高输出信噪比，必须减小其线度。但为了不使接收辐射的能力下降，有时也用浸没技术，以提高探测度。 二、参数 1.电阻温度特性 （1/℃） 2.阻值变化量 3.输出特性 热敏电阻的输出电路 4.热阻 5.响应率 ??? 1）v不能很大，因i若较大，产生的焦耳热会使元件温度提高，如果αT是负，还可能因为RT变小而产生破坏性的热击穿。 ??? 2）为了提高α ，要使灵敏面表面黑化。 ? ?? 3）为了减小G，可使接收元件装在一个真空的外壳里。 4）αT决定于材料。 5）由于要求放大器的输入阻抗要远大于RT，这就限制了RT不能任意的大。 6.最小可探测功率 限制热敏电阻最小可探测功率的主要因素是与元件电阻有关的约翰逊噪声和与辐射吸收、发射有关的温度噪声。在室温下，热敏电阻的噪声等效功率可达10-6～10-9W·Hz-1/2，在致冷到液氦温度（3K）时，可达10-13～10-14W·Hz-1/2。 四、超导、碳与锗测辐射热计 超导测辐射热计 50um—1mm 锗测辐射热计 1000um 碳测辐射热计 40um 四、热释