532nmHfO2SiO2高反膜的激光预处理效应-强激光与粒子束.PDFVIP

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2019-08-18 发布于北京
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532nmHfO2SiO2高反膜的激光预处理效应-强激光与粒子束.PDF

第卷第期强激光与粒子束 , 27 3 Vol.27 No.3 年月 , 2015 3 HIGH POWERLASERANDPARTICLEBEAMS Mar. 2015 / 高高反膜的激光预处理效应* 532nmHfO SiO 2 2 , 12 1 1 刘杰 , 张伟丽 , 朱美萍 ( , ; , ) 1.中国科学院上海光学精密机械研究所上海 201800 2.中国科学院大学北京 100049 : 摘要采用单台阶能量光栅扫描以及测试两种不同预处理方式研究了激光预处理技术对 R-on1 532 - / 。 : / nmHfO SiO高反膜的阈值提升效果用 NdYAG二倍频激光对电子束蒸发制备的532nmHfO SiO 高 2 2 2 2 , 。反膜进行 1-on1损伤阈值测试然后分别进行单台阶能量光栅扫描以及 R-on1测试通过对损伤概率以及损 - - , , , 伤形貌的分析发现激光预处理能够去除薄膜内低阈值缺陷达到提高损伤阈值的目的损伤阈值分别提高和。 38% 30% : ; ; ; ; 关键词电子束蒸发高反膜激光预处理损伤阈值缺陷 532nm 中图分类号: 文献标志码: : / O436.2 A doi10.11884HPLPB201527.032034 , , 鉴于薄膜在激光系统中的重要位置不断改善薄膜元件的性能提高其抗激光损伤能力一直是激光界和薄 [] [ ] [] [ ] 1