(5)场效应管及其基本放大电路课件.ppt

第五章场效应管及其基本放大电路 一. 结型场效应管 1. 结型场效应管的结构（以N沟为例）： 2. 结型场效应管的工作原理 在栅源间加负电压uGS ， 令uDS =0 ①当uGS=0时，为平衡PN结， 导电沟道最宽。 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用举例 （2）漏源电压对沟道的控制作用 漏源电压对沟道的控制作用举例 输出特性 转移特性 P沟道结型场效应管的工作原理与N沟道结型场效应管完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。（请大家自学） 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用 当uGS＞ UGS (th) ，且固定为某一值时，来分析漏源电 压VDS对漏极电流ID的影响。（设UT=2V， uGS=4V） 增强型MOS管uDS对iD的影响 ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const 三 MOS管的主要参数 (1) 开启电压UGS (th) ： 是MOS增强型管的参数，刚刚产生沟道所需的栅源电压UGS。 场效应管的分类 记住名称、符号、转移曲线 场效应管的方程 记住不同种类用的公式 二、场效应管静态工作点的设置方法 2. 自给偏压电路 3. 分压式偏置电路 三、场效应管放大电路的动态分析 基本共源放大电路的动态分析 基本共漏放大电路的动态分析 基本共漏放大电路输出电阻的分析 近似分析时可认为其为无穷大！ 根据iD的表达式或转移特性可求得gm。 1. 场效应管的交流等效模型（记住） EMOSFET DMOSFET/JFET 常用记住 推导 2分压偏置共源放大电路 画出共源放大电路的 交流小信号等效电路， 求交流参数 （1）求电压放大倍数 （2）求输入电阻 （3）求输出电阻 则 动态 分析 s g d 画交流小信号等效电路， 求交流参数 3分压偏置共漏放大电路 （1）电压放大倍数 （2）输入电阻 得 由 ≈1 （3）输出电阻 s g d * 一、场效应管 二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析 场效应管 BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与导电，所以被称为双极型器件。 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 FET分类 ： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 两个PN结夹着一个N型沟道。三个电极： g：栅极 d：漏极 s：源极 符号： N沟道 P沟道 两个高掺杂P区接在一起 （1）栅源电压对沟道的控制作用 ②当│uGS│↑时，PN结反偏，耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大。 ③当│uGS│↑到一定值时 ，沟道会完全合拢。 定义：夹断电压UGS (off ) ——使导电沟道完全合拢（消失）所需要的栅源电压uGS。 UGS0V沟道最宽 UGS-3V沟道变窄 UGS(off)-3.5v沟道消失，称为夹断 UGS可以控制导电沟道的宽度。 为什么g-s必须加负电压？ UGS（off） 使耗尽层承受反压。 在漏源间加电压uDS ，令uGS =0 由于uGS =0，所以导电沟道最宽。 ①当uDS=0时， iD=0。 ②uDS↑→iD ↑→靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，呈楔形分布。 ③当uDS ↑，使uGD=uG S- uDS= UGS (off )时，在靠漏极处夹断——预夹断。 预夹断前， uDS↑→iD ↑。 预夹断后， iDS↑→iD 几乎不变。 ④uDS再↑，预夹断点下移。 uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 uGDUGS（off） uGDUGS（off） 9v 6v 3v （3）栅源电压uGS和漏源电压uDS共同作用 iD=f（ uGS 、uDS）,可用输两组特性曲线来描绘。 （1）输出特性曲线： iD=f（ uDS ）