半导体制造技术第四章.pptVIP

dreamtower@163.com 第四章 硅和硅片制备 学习目标： 1.硅原材料怎样精炼成半导体级硅 2.解释晶体结构和单晶硅的生长方法 3.硅晶体的主要缺陷种类 3.描述硅片制备的基本步骤 4.对硅片供应商的7种质量标准 5.外延对硅片的重要性。 在这一章里，主要介绍沙子转变成晶体，以及硅片和用于芯片制造级的抛光片的生产步骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的晶圆，最早使用的是1英寸，而现在300mm直径的晶圆已经投入生产线了。因为晶圆直径越大，单个芯片的生产成本就越低。然而，直径越大，晶体结构上和电学性能的一致性就越难以保证，这正是对晶圆生产的一个挑战。 2.1 硅的晶体结构 物质分为晶体(单晶，多晶)和非晶体 非晶：原子排列无序 晶胞：长程有序的原子模式最基本的实体就是晶胞，晶胞是三维结构中最简单的由原子组成的重复单元。 单晶：晶胞在三维方向上整齐地重复排列。 多晶体：晶胞排列不规律 非晶原子排列 三维结构的晶胞 多晶和单晶结构 晶体结构的原子排列 晶面密勒指数 硅中三种普遍的缺陷形式 点缺陷：原子层面的局部缺陷 位错：错位的晶胞 层错：晶体结构的缺陷 1）设备：石英坩埚、高频加热线圈等 2）材料：半导体多晶材料和掺杂物、籽晶 3）晶体生长的结构与籽晶晶体结构一致 CZ法晶体提拉 两种方法的比较 CZ法是较常用的方法 价格便宜 较大的晶圆