半导体光电子学第6章 半导体发光二极管.pptVIP

6.1 概述 6.2 LED的结构 和半导体激光器一样，短波长(0.82~0.85?m)和长波长(l.3?m，1.55?m)的发光二极管分别使用GaAlAs/GaAs和InGaAsP/InP双异质结构。用这些直接带隙跃迁材料能保证在室温下给出较高的内量子效率(?50%)，发射波长同样由材料的禁带宽度所决定。 一、边发光二极管 二、面发光二极管 正面发光二极管的结构如图6.2-5所示。它实际上是一个标准的异质结二极管，只是它的有源区由氧化物(如SiO2)隔离的金属电极接触条所限定。为防止衬底对光的吸收，同时为了有效地用光纤将光从有源区耦合出来，用腐蚀的方法将衬底开一个阱，阱底直至与衬底相邻的限制层。因为顶层电极接触是一直径较小的圆形金属层，能保证从电极至阱底形成一柱形电流通道，同时也限制光子在一个小的区域内而不能抵达解理面产生所不希望的谐振。 三、超辐射发光二极管 超辐射发光二极管与边发光二极管在结构上基本相同，图6.2-3表示这种发光管的顶视和侧视图。与受泵浦的波导区毗邻的是一个非泵浦区或吸收区。与边发光管工作原理上的根本区别在于这种结构中沿纵向传播的光有少许净增益。因此，除光子未通过谐振腔结构反馈、振荡外，超辐射发光二极管更相似于多模注入激光器。这就决定着超辐射发光二极管的一些特性介于半导体激光器与通常的发光二极管之问，它没有象通常的发光管那样从零泵浦电流开始的P-I线性，但也没有半导体激光器那样明显的阈值特性，然而在高的输出功率下却可能出现饱和。 事实上，某些发光二极管也可能产生超辐射。因此，超辐射发光管波导结构的一端或两端的功率反射率对它的性能特点起了重要的决定作用。例如，在如图6.2-3所示的结构中，解理输出端面的反射率R(L)=0.3，这就会出现最坏的情况。而如果对该解理面增透，则输出功率可增加2～4倍；如取R(L)=0，而R(0)?0，则输出功率尚可进一步增加。因为有源区内存在净的增益时，能显著的增加输出功率，这可用解理面代替吸收区、甚至对该后端面进行增反来实现。 图6.2-4表示这种情况下的输出功率与有源层长度的关系。在一定的有源层长度下，后端面反射率R2越高，其输出功率越大。而且随着注入电流的增加，这种超辐射模所占的比率也增加，因而光谱宽度变窄，发散角变小，与光纤的耦合效率显著增加。目前已能用单模光纤从前端面耦合出25?W(I=100mA)。但正如上所述，对超辐射发光二极管的任何设计考虑都必须防止其转化为激光器的工作方式，因此必须适当地控制端面的反射率和注入电流。超辐射发光二极管将在要求光源既无明显偏振特性又有较大功率输出的地方(如光纤陀螺)得到应用。 6.3 半导体发光二极管的性能 半导体发光二极管的性能与其发光机理和器件本身的结构形式密切相关。完全由自发射产生的输出，其P-I特性应该是理想的线性，已在前而讨论过。 其它主要特性： 一、温度稳定性 二、发光二极管的远场特性及其与光纤的耦合 三、发光二极管的发射谱 一、温度稳定性 相对于半导体激光器和超辐射发光二极管来说，通常所说的发光二极管的温度稳定性是很好的。这是因为半导体激光器的阈值电流密度对温度的变化是很灵敏的。 有源区材料不同，发光管的温度特性也不相同，图6.3-1(a)和(b)分别表示GaAlAs/GaAs(?=0.85?m)和InGaAsP/InP(?=1.23?m)边发光二极管的温度特性。 由图可以看出，在同样的电流和温度变化范围(20~70℃)内， InGaAsP/InP发光管的输出功率降低将近一半，而GaAlAs/GaAs发光管则只降低约1/3。导致这一差别的原因可归结为在InGaAsP/InP发光管中存在较为严重的热载流子泄漏和俄歇非辐射复合。 二、发光二极管的远场特性及其与光纤的耦合 由于发光二极管的自发发射机理，它的输出光束的空间相干性是较差的，表现在光束具有较大的发散角，因而与光纤的耦合效率要比半导体激光器低得多。 边发光二极管在结构上与半导体激光器有一定的相似性，所以在垂直于结平面方向与双异质结半导激光器的远场特性相同，即在该方向的光束发散角??也和半导体激光器相一致，对GaAlAs/GaAs边发光二极管有 尽管边发光管通常也采取和半导体激光器相同的条形电极结构，但由于它没有谐振腔的反馈，因而在平行于结平面方向也按朗伯型发射。即远场图近似按cos?变化，而在垂直于结平面方向的远场图是按cos7?变化。图6.3-3表示边发光二极管这种远场分布，它比图6.3-2(b)更具体地反映了在垂直于和平行于结平而方向的远场图，如图中实线所示，在垂直于结平面方向出现的几个小瓣是由于有源层在n型-边界面处材料成分变化所致，图中虚线表示按朗伯分布和cos7?分别对平行和垂直于结平面方向测量数据的拟合。 也正是由于边发光管所表现出的部分方向性，使它比面发