半导体物理学 第一章__半导体中的电子状态.pptVIP

前 言 ●什 么 是 半 导 体 ●半 导 体 的 分 类 ●半 导 体 的 地 位 ●半 导 体 的 发 展 三、半导体材料的地位 几种主要半导体的发展现状与趋势 第一章 半导体中的电子状态 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 1.2半导体中电子状态和能带 1.3半导体中电子运动－－有效质量 1.4 本征半导体的导电机构－－空穴 1.5 常见半导体的能带结构 （共计八学时） 3、纤锌矿型结构 纤锌矿型结构和闪锌矿型结构相接近，它也是以正四面体结构为基础构成的，但是它具有六方对称性，而不是立方对称性。例 ZnS、CdS E（k）- k的对应意义： 导体、绝缘体和半导体的能带模型 空 穴 二 半导体中电子的运动 有效质量 2、半导体中电子的平均速度 在能带极值附近的v（k）- k关系: 3、半导体中电子的加速度 4、mn*的意义 有效质量的意义： 有效质量概括了半导体内部势场作用， 使得在解决半导体中电子在外力作用 的运动规律时，可以不涉及到半导体 内部势场的作用。 §1-4 本征半导体的导电机构－空穴 一、载流子的产生： 1-10、宽禁带半导体材料 称m*为电子的有效质量 F外 + F内 = m0a F外 = m*a 半导体内部势场+外电 场的共同作用结果 概括了半导体内部势场的作用 5. m*的特点： 1.决定于材料 2.与电子的运动方向有关 3.与能带的宽窄有关 内层:带窄, 小,m*大； 外层:带宽, 大,m*小。 因而，外层电子，在外力作用下可以 获得较大的加速度。 内层电子的能带窄，有效质量大； 外层电子的能带宽，有效质量小。 0, m*0。 0, m*0。 导带底 价带顶 4. m*有正负之分： 当E(k)曲线开口向上时, 当E(k)曲线开口向下时, 电子的m*0; 电子的m*0; 5. 对于带顶和带底的电子,有效质量恒定 在导带底电子的有效质量为正恒量; 在价带顶电子的有效质量为负恒量; 能量，速度，有效质量随k的变化曲线 1.在能带底附近，有效质量为正，在能带顶附近，有效质量为负 2.能带越窄，二次微商越小，有效质量越大。内层电子的能带窄，有效质量大；外层电子的能带宽，有效质量小。 能量、速度和有效质量与波矢的关系 0 m* 0 E k -π/l 正有效质量 负有效质量 0 π/l V 1.在能带底附近，有效质量为正，在能带顶附近，有效质量为负 2.能带越窄，二次微商越小，有效质量越大。内层电子的能带窄，有效质量大；外层电子的能带宽，有效质量小。 本征激发： 当温度一定时，价带电子受到激发而成为导带电子的过程 本征激发。 激 发 前： 导 带 底 Ec 价 带 顶 Ev 价带电子 激 发 后： 导带电子 空的量子态（ 空穴） 满带：电子数=状态数 不满带： 价带：电子数空态数 导带：电子数空态数 二、半导体的导电机构—空穴： 本征激发也相当于共价键上缺少了一个电子而出现 了一个空位,同时在晶格间隙出现了一个导电电子， 并且由于电中性的要求，这个空状态是荷正电的。 对能带结构来讲: 1.满带 对电流无贡献 2.不满带 对电流有贡献 I（A）=-I（-A） 即是说，+k态和-k态的 电子电流互相抵消 所以，满带中的电子不导电。 而对部分填充的能带，将 产生宏观电流。 ○ ● EC EV 电子少 电子多 导带 价带 分析： 假设价带内失去一个ke态的电子， 而价带中其它能级均有电子占据。 Ec Ev E(ke) 用J 表示该价带内中实际存在的电子引起的电流密度。 ○ ● 如果设想有一个电子填充到空的ke态，这个电子引起的电流密度为（-q）V（ke）。 在填入这个电子后，该价带又成了满带，总电流密度应为零，即 空穴概念的引入： (4)式的左边是 能量E 的一个较复杂的函数，记作 f(E)； 右边是角波数 k 的函数。 由于 ， 所以使 的 E 值 都不满足方程。 下图5 为 给出了一定的 a、b、U0 数值后的 f(E)： 图 5 f(E)函数图 f(E) E 由图看出，在允许取的 E值（暂且称为能级）之间， 有一些不允许取的 E值（暂且称为能隙）。 下面 的图 6 为E ~ k 曲线的某种表达图式。 E2 E3 E5 E4 E6 E7 E1 0 E 图 6 E ~ k 曲线的表达图式 图中 为 “许可的能量”， 称为能带*。 E2 E3