《模拟电子技术》第1章1半导体器件基础0319二34节0321.pptVIP

电子技术 第1章 半导体器件基础 一、物质分类（按导电性） 一、物质分类（按导电性） 本征半导体有关概念、特点 本征半导体有关概念、特点 问题 本征半导体中空穴数量多？电子数量多？ 本征半导体带正电？带负电？ 当需要获得不随温度变化的基准电压时，可以将一只齐纳击穿二极管和一只雪崩击穿二极管串联起来，只要选材适当，可以使这两个二极管的总电压在相当大的温度变化范围内维持稳定。 授课结束二34节 半导体二极管的型号 中国国家标准：半导体器件型号命名举例： 2 A P 9 用数字代表同类型器件的不同型号 用字母代表器件的类型，P代表普通管 用字母代表器件的材料，A代表N型Ge B代表P型Ge，C代表N型Si，D代表P型Si 2代表二极管，3代表三极管 4.变容二极管 §1.3 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 一、晶体管的结构和符号 授课：0326周二34节 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 2. 输出特性曲线 如何放大？ 2. 输出特性曲线 2. 输出特性 2. 输出特性曲线 2. 输出特性 晶体管的三个工作区域 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 讨论一 补充：判断三极管工作状态的三种方法。 讨论二：利用Multisim测试晶体管的输出特性 讨论三 利用Multisim分析图示电路在V2小于何值时晶体管截止、大于何值时晶体管饱和。 三极管授课结束 授课结束 补充：判断三极管工作状态的三种方法。 重点掌握电位判定方法和结偏置判定方法。辅以课后练习。 重点掌握电位判定方法和结偏置判定方法。辅以课后练习。 本节内容要求学生一般了解，较难。 O uDS /V iD /mA 5 V 2 V 0 V –2 V uGS = 2 V 0 V – 2 V – 5 V N 沟道结型 S G D iD S G D iD P 沟道结型 uGS /V iD /mA 5 – 5 O IDSS VP O uDS /V iD /mA 5 V 2 V 0 V uGS = 0 V – 2 V – 5 V 2. 场效应管的主要参数 （1）开启电压 VT(增强型) 夹断电压 VP(耗尽型) 指 uDS = 某值，使漏极 电流 iD 为某一小电流时 的 uGS 值。 VT VP （2） 饱和漏极电流 IDSS 耗尽型场效应管，当 uGS = 0 时所对应的漏极电流。 IDSS uGS /V iD /mA O UGS(th) UGS(off) （3） 直流输入电阻 RGS 指漏源间短路时，栅、源间加 反向电压呈现的直流电阻。 JFET：RGS 107 ? MOSFET：RGS = 109 ? 1015?? IDSS uGS /V iD /mA O （4）低频跨导 gm 反映了uGS 对 iD 的控制能力， 单位 S(西门子)。一般为几毫西 (mS) uGS /V iD /mA Q O PDM = uDS iD，受温度限制。 （5） 漏源动态电阻 rds 6. 最大漏极功耗 PDM 一、两种半导体和两种载流子 两种载流 子的运动 电子 — 自由电子 空穴 — 价电子 两 种 半导体 N 型 (多电子) P 型 (多空穴) 二、二极管 1. 特性 — 单向导电 正向电阻小(理想为 0)，反向电阻大(?)。 第2章 小 结 iD O uD U (BR) I F URM 2. 主要参数 正向 — 最大平均电流 IF 反向 — 最大反向工作电压 U(BR)(超过则击穿) 反向饱和电流 IR (IS)(受温度影响) IS 3. 二极管的等效模型 理想模型 (大信号状态采用) uD iD 正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合 反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开 恒压降模型 UD(on) 正偏电压 ? UD(on) 时导通 等效为恒压源UD(on) 否则截止，相当于二极管支路断开 UD(on) = (0.6 ? 0.8) V 估算时取 0.7 V 硅管： 锗管： (0.2 ? 0.4) V 0.3 V 折线近似模型 相当于有内阻的恒压源 UD(on) 4.