超灵敏微位移传感器.pptVIP

主要内容 研究热点 单电子晶体管的优良性质 以单电子晶体管为基础设计的高灵敏度微位移传感器 结果与讨论 引文 微位移传感器——科学家的新宠儿 研究意义：机械微观化，对纳米尺度振动位移的测量灵敏度提出要求 优良性质：30 mK真空，116-MHZ微振子，灵敏度： 热点：Nature , Appling physics letter等近年多有报道，引文中仅2003年相关文章就有3篇。 单电子晶体管（SET）原理简介 库仑阻塞与电子隧穿：微小隧道结中，一个电子隧穿引起的电位变化对下一个电子隧穿产生阻止作用。 栅电压向量子点引入控制电荷， 形成三极管式电路。栅电压 可以完全控制器件的电导。具有晶体管的作用。 库仑岛上控制电荷与栅极的关系： 库仑岛中电子数增加1引起的电势变化： 库仑岛与弱电极极弱耦合在一起，控制栅极电压可以改变库仑岛的电化学势，当库仑阻塞状态与电子隧穿状态之间相互转化时，就会有小到只有几个电子的电流通过栅极电压的改变被探测到。 可见单电子管有着对弱电势改变非常好的探测灵敏度。通过控制栅极电压可以实现对少数电子运动的控制。 三极管式分子电子晶体管电路示意图 微位移传感器——SET的应用 原理：将单电子管与谐振梁电容耦合（如下图所示），振梁振动引起电容C变化 SET是最灵敏的静电计，