传感器检测技术磁敏传感器.pptVIP

* 由于金属的电子浓度很高且电阻率很小，所以其霍耳系数、磁灵敏度都很小，因而不宜于制作霍耳器件；另外，器件的厚度越薄，灵敏度KH也越大，故而制作霍耳器件时，常采用减小厚度d的办法来增加灵敏度，也就是说，霍耳器件薄膜化是提高灵敏度的一个途径。但是值得注意一点是：不能认为d越薄越好。因为越薄将会增加霍耳器件的输入和输出阻抗从而增加功耗，这对电子迁移率不大的Ge材料来说是不适当的。 当控制电流或磁场方向换向时，霍耳电势方向也随之换向。若电流和磁场同时改变方向时，霍耳电势并不改变原来的方向。这就是说，霍耳器件的电流控制极和霍耳电势输出极具有对称性，不存在正、负之分，它们对磁场具有大小相等的正、反磁灵敏度。 * 温度对半导体的各种特性均有很大影响，霍耳器件也不例外。 Ln—稀土元素 * 这是由于在交变磁场作用下，元件与导体一样会在其内部产生涡流的缘故。图2.6-8所示为涡流的分布情况。由于元件电流极的短路作用，涡流可分解成上、下两部分，即大小相等而方向相反的电流流动（见图），该涡流的频率与外加磁场频率相同，相移为π/2。 图2.6-9 控制电流周围磁场引起的霍耳效应 图2.6-8 交变磁场作用下霍耳器件的涡流分布 涡流的存在会影响霍耳输出，这是因为：一方面涡流本身可感应出附加磁场作用于器件上（其频率与原磁场的相同，但相移为π/2），该磁场与控制电流作用产生一个附加的霍耳电势（与原霍耳电