半导体工艺原理--硅衬底材料制备工艺(贵州大学)概要.pptVIP

硅衬底材料制备工艺 CZ(直拉）法生长单晶 硅片制备（切割－研磨－抛光） 晶体缺陷 抛光片主要技术指标 从沙子到晶圆（抛光片） 起始材料 SiC +SiO2 Si(固)+SiO(气)+CO(气) 　形成 冶金级硅MGS(98%) Si+3HCl SiHCl3(气)+H2 　 将SiHCl3(室温下为液体，沸点32℃）分馏提纯 SiHCl3＋H2 Si+3HCl （多晶硅沉积） 　产生电子级硅EGS(纯度十亿分之一），它是多晶硅材料 拉晶：CZ(直拉）法生长单晶 CZ法与FZ法比较 晶体缺陷 点缺陷 位错 刃型位错 螺旋位错 层错 层错与晶体结构有关，经常发生在晶体生长过程中。滑移就是一种层错，它沿着一个或更多的平面发生滑移。  另一种层错是孪生平面，就是在一个平面上，晶体沿着两个不同的方向生长。 滑移线 滑移线腐蚀坑 缺陷的两重性 缺陷往往是复合中心，是PN结漏电和低击穿的原因，特别是缺陷和重金属的交互作用会加深这种作用（降低寿命）所以不希望在有源区有缺陷。 在非有源区，缺陷能吸引杂质聚集，即有吸杂作用，是有好处的。 吸杂 (Gettering) 吸杂－晶体中的杂质和缺陷扩散并被俘